검색어 입력폼
평가점수C

OXIDATION, EVAPORATION

저작시기 2008.09 |등록일 2008.10.19 한글파일한컴오피스 (hwp) | 4페이지 | 가격 1,000원

소개글

반도체 제조공정중 OXIDATION, EVAPORATION에 대한 설명

목차

-산화막 성장에 영향을 주는 변수를 간략하게 설명

-산화막에 생기는 전하 및 해결방법에 대해서 설명

- Evaporation의 정의

- 상압에서 고진공으로 만드는 순서 , 그림

본문내용

1. Oxidation

* 산화막 성장에 영향을 주는 변수를 간략하게 설명하시

산화막의 기본물성을 좌우하는 조건은 다음과 같다.
⓵산화조건 : 산화온도, 시간, 압력, 가스조성, 유량
⓶장치조건 : 튜브 및 보트의 길이, 삽입 및 인출, 가열 및 냉각속도
⓷기판조건 : 도펀트 농도, 면 방위

이중 산화막 성잘률에 영향을 미치는인자들..

1)결정 방향의 의존성

산화막의 성장 속도는 실리콘 웨이퍼의 결정 방향(crystal orientation)에 따라 큰 영향을 받는다. 건식 산화의 경우 실질적인 산화시간에서 <111> 웨이퍼가 모든 온도에서 <100> 웨이퍼보다 산화 속도가 빠르다. 이와 같은 산화 속도의 변화는 실리콘 산화막의 열적 성질의 차이에 의한 응력의 발생에 기인하는 것으로 일부 알려져 있다.

2)기판 도펀트의 영향

붕소나 인과 같은 도펀트 원소가 Si 내에 고농도로 존재할 때에는 산화를 촉진시키게 된다. 도펀트들은 성장하고 있는 SiO2-Si 계면에서 재분포 된다. 여기서 재분포란 산화과정에서 실리콘 기판 내의 도펀트 분포가 변화하는 것을 의미한다.
도펀트들은 편석계수에 따라 Si 또는 산화막 내에 편석된다. 이 때 붕소가 산화막 내에 편석되어 머물게 되면 SiO2의 결합 구조를 약화시킨다. 이러한 약한 구조에서는 산화막을 통하여 산화물질의 확산을 촉진시키므로 산화막 성장 속도가 빨라지게 된다. 이

참고 자료

네이버 백과사전
반도체 단위공정론 한밭대학교 특성화사업단
수업자료
다운로드 맨위로