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BJT 와 MOSFET의 장단점

저작시기 2008.09 |등록일 2008.09.14 파워포인트파일MS 파워포인트 (pptx) | 15페이지 | 가격 1,000원

소개글

BJT 와 MOSFET의 장단점
PPT 발표자료입니다.

목차

동작원리
I-V 특성
온도에 대한 특성
Switching
증폭기
Summary

본문내용

동작원리
전자와 Hole 모두 전류를 발생시키는데 이용.
(Bipolar Junction Transistor)
※ Gate에는 전류가 흐르지 않는다.

도선을 얇게 할 수 있어서 소자 크기가BJT에 비해 훨씬 작다. (집적화에 유리)
소모전력이 적다
V=IR 에 의해 입력임피던스는 매우 크다

I-V 특성
IB를 변화시킴으로써 출력전류 Ic를 제어할 수 있다. 이 때, IB 는 아주 작은 전류이고 미세하게 변화시킴으로써 IC 를 제어한다.

참고 자료

없음
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