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TFT와 FET 그리고 둘의 차이점

저작시기 2005.05 |등록일 2008.04.06 한글파일한글 (hwp) | 11페이지 | 가격 2,000원

소개글

TFT와 FET 그리고 둘의 차이점

목차

◎ TFT (Thin Film Transistor) 박막 트랜지스터
○ 종류
○ 구조
○ 제작방법
◎ FET (Field Effect Transistor) 전계 효과 트랜지스터
○ 종류
○ 구조
○ 제작방법
◎ TFT 와 FET의 차이점

본문내용

◎ TFT (Thin Film Transistor) 박막 트랜지스터

박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)는 일반적으로 "절연성 기판 위에 단결정이아닌 반도체 박막을 이용하여 만든 전계효과 트랜지스터(Field Effect Transistor, FET)"로 정의할 수 있다.
다른 종류의 트랜지스터와 마찬가지로 TFT도 게이트(Gate), 드레인(Drain) 및 소스Source)의 세 단자를 가진 소자이며, 가장 주된 기능은 스위칭과 증폭이다. TFT의 동작원리는 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor, FET)과 매우 유사하다. 다만, MOSFET은 게이트 전극에 인가된 전압에 의해 반도체 층과 게이트 절연막 계면에 소수 캐리어 채널이 반전(Inversion)되어 형성된 상태에서 동작하지만, TFT는 계면에 다수 캐리어 채널이 축적(Accumulation) 형성된

◎ FET (Field Effect Transistor) 전계 효과 트랜지스터

보통의 트랜지스터에 비해 입·출력의 두 저항이 매우 큰 특징을 지닌 트랜지스터로, 단극트랜지스터 또는 FET라고도 한다. 원리는 반도체의 소스(Source)에서 집전극의 드레인(Drain)에 흐르는 전자류를 게이트(Gate)에 가한 전압에 의한 전기장으로 제어하는 것이다. 즉, 채널의 저항을 변화시켜 다수 캐리어의 흐름을 제어하는

◎ TFT 와 FET의 차이점

MOSFET 와 디스플레이에 사용되는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)는 공통적으로 모두 MOS 게이트 구조의 소자이다. 그러나 두 개의 소자의 중요한 차이점은 동작 모드의 차이에 있다. 박막 트랜지스터(TFT)는 축적 모드(accumulation mode)에서 동작 하게 된다. 다시 말해 게이트 전압이 인가되면 특정한 캐리어의 밀도가 증가한다. 이런한 박막 트랜지스터의 동작은 핵심적으로 전도도의
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