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다이오드의 종류

저작시기 2000.06 |등록일 2008.04.06 한글파일한글 (hwp) | 5페이지 | 가격 500원

소개글

다이오드의 종류

목차

1. 제너 다이오드 (Zener Diode)
2. 쇼트키 Diode (Schottky Barrier Diode)
3. SCR(실리콘 제어 정류기)
4. 터널 다이오드(Tunnel Diode)
5. Varactor(바랙터)

본문내용

1. 제너 다이오드 (Zener Diode)

제너 항복(Zener Breakdown)은 p형과 n형 양측의 도핑농도가 높고, 고전압이 인가되었을 때 일어나는 현상이다. 일반적으로 여기된(Exciting) 전자가 전도대로 이동 후 역바이어스된 접합의 공핍층을 따라 이동하는데 여기서는 공핍층의 두께가 얇고, 고전계가 걸린 상태에는 전자는 양자역학적인 터널링(tunneling)에 의해 공핍층을 통과하면서 생기는 절연파괴(항복)현상이 제너 항복이다. 이런 현상을 이용한 다이오드이다.
제너(Zener)항복은 애벌런취(Avalanche)항복과 달리 다이오드가 강하게 도핑(Doping)되면 공핍층이 대단히 좁아지므로 공핍층에서 생기는 전계의 세기가 300,000[V/cm]정도가 되면 가전자대 전자가 전도대로 충분히 끌어 올려지는데 이러한 형태에 의한 항복이다.

PN접합의 항복(Breakdown)영역에서 동작특성이 나타나도록 제작된 다이오드로 주로 정전압용으로 사용된다. PN반도체의 도핑레벨(Doupping Level)을 변화시켜서 2 ~ 200 [V]의 항복범위를 갖도록 해당 전압별로 제작된다.

기호

제너(Zener)항복은 애벌런취(Avalanche)항복과 달리 다이오드가 강하게 도핑(Doupping)되면 공핍층이 대단히 좁아지므로 공핍층에서 생기는 전계의 세기가 300,000[V/cm]정도가 되면 가전자대 전자가 전도대로 충분히 끌어 올려지는데 이러한 형태에 의한 항복을 말하며, 고전계방출(Highh Field Emission)이라고도 한다.

제너다이오드의 특성에서 항복전압 Vz에 도달하기까지 역방향 전류는 무시할 수 있다. Vz에서는 급경사적으로 나타나므로 전류는 거의 수직적으로 나타난다. 대부분의 항복영역구간에 걸쳐 출력전압은 Vz와 같게된다.
제너다이오드의 소비전력 Pz는
Pz = Vz * Iz
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