검색어 입력폼

Transistor pairing

저작시기 2007.10 |등록일 2008.04.05 한글파일한글 (hwp) | 5페이지 | 가격 1,200원

목차

§ 실험목적

§ 실험부품 및 사용기기

§ 이론요약

(1) CC-CE 구조
(2) Darlington 구조
(3) CC-CB 구조

§ 예비보고사항

이론보충

§ 실험순서

§ 예상결과

본문내용

§ 실험목적
․ CC-CE, CC-CB, Darlington 증폭기의 증폭 이득 및 주파수 응답 특성을 시뮬레이션 및 실험을
통해 확인한다.
․ Transistor pairing 구조에 따른 특성을 비교한다.
§ 실험부품 및 사용기기
․ 0-15V 직류전원공급장치
․ 브레드보드
․ 오실로스코프
․ 신호발생기
․ 저항 : 220Ω, 1kΩ(2), 3.3kΩ, 3.6kΩ, 3.9kΩ, 4.3kΩ(2), 4.7kΩ, 10kΩ(2), 47kΩ, 100kΩ(2)
․ 캐패시터 : 1uF(2), 47uF, 100uF(2)
․ BJT Q2N3904
§ 이론요약
(1) CC-CE 구조
1. 공통-콜렉터와 공통-이미터 회로를 그림 5-1에서 보인 것처럼 종속으로 접속하여 사용하면, 넓은 대역폭과 이득을 얻을 수 있다.
2. Q1의 콜렉터가 신호 접지에 있기 때문에, 전원 저항과 입력 캐패시턴스의 상호 작용에 의해 야기되는 극점은 높은 주파수에 위치하게 된다.
3. 전압 이득은 공통-이미터 트랜지스터 Q2에 의해서 제공되며, 이 트랜지스터는 Miller 효과의 영향을 받는다. 그러나 총 유효 캐패시턴스와 등가저항은 이미터 follower Q1의 낮은 출력 저항으로 인해 작아진다.

(2) Darlington 구조
1. 공통-콜렉터와 공통-이미터의 구성을 그림 5-2에서 보인 것처럼 연결하는 것을 Darlington 구조라고 한다.

2. 이 구성은 β≃β1β2를 가지는 단일 트랜지스터와 등가이다.

참고 자료

대학 강의 실험자료 (교내자체재작)
다운로드 맨위로