검색어 입력폼

MOS Current Mirror

저작시기 2007.09 |등록일 2008.04.04 한글파일한글 (hwp) | 6페이지 | 가격 800원

목차

§ 실험목적
§ 실험부품 및 사용기기
§ 이론요약
§ 실험순서
§ 예상결과

본문내용

§ 실험목적
∙ MOS 전류거울(Current Mirror)의 기본 동작을 확인한다.
∙ 저항 R에 의해 IREF 전류를 변화 시킬 수 있음을 확인한다.
∙ 소자들의 (W/L) 비를 조절함으로써 전류거울의 IO 값을 조절할 수 있음을 확인한다.
§ 실험부품 및 사용기기
1 0-15V 직류 전원공급장치 1 저항 100KΩ
1 브레드 보드 1 가변저항 500KΩ
1 DMM 2 MOS CD4007
§ 이론요약
1. 아날로그 회로에서는, 안정되고 예측 가능한 직류 기준 전류가 회로의 한 곳에서 생성되며, 이 기준 전류에 비례하는 직류 전류들이 다시 회로의 여러 곳에서 생성되어 회로에 있는 여러 트랜지스터들을 바이어스 시킨다. 이와 같은 회로를 전류거울 이라고 부르며 그것의 가장 간단한 형태를 1-1에 나타내었다.

2. 전류거울은 문턱 전압 Vt는 같지만 W/l비는 서로 다를 수 있는 두 개의 enhancement mode MOS Q1과 Q2로 구성된다. 트랜지스터 Q1은 포화 영역에서 동작하며 기준 전류 IREF로 구동된다. 출력 전류 IO는 Q2의 드레인에서 취해진다. 이 때, Q2는 반드시 포화 영역에서 동작해야 한다. 그리고 Q1에 대해 다음과 같은 식을 쓸 수 있다.
IREF = K1(VGS-Vt)2
3. Q2와 Q1이 병렬로 접속되어 있으므로, 이들은 똑같은 VGS 값을 가질 것이다. 따라서, IO는 다음과 같이 표현 된다.
IO = K2(VGS - Vt)2
위의 두 식을 결합시키면, 다음 식이 얻어진다.
IO = IREF(K2/K1)
K1과 K2를 소자들의 W/L 비로 나타내면,
IO =
가 얻어질 것이다.
4. 이상적인 경우에는, IO가 IREF의 배수가 될 것이며, 배수의 값은 소자의 기하학적인 형태에 의해서 결정될 것이다.
5. 그림 1-2는 간단한 MOS 전류거울 회로를 나타낸다. 이 회로는, 전류거울 회로에 저항 하나가 첨가된 형태를 취하고 있다. 전류거울의 입력 기준 전류 IREF는 전력 공급기 VDD와 전류거울 사이에 접속되어 있는 저항 R에 의해서 결정된다.

참고 자료

대학 강의 실험 교재. (학교자체재작)
다운로드 맨위로