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HEMT (High Electron Mobility Transistor)

저작시기 2006.06 |등록일 2008.04.04 한글파일한글 (hwp) | 7페이지 | 가격 1,000원

소개글

1. A+받은 리포트입니다.
2. `반도체 물리학` 이라는 강의의 리포트입니다.
3. 체계적으로 구성되어 있습니다. (목차 참고)
4. 시각적인 디자인 효과도 있습니다.
5. 목차도 파일 내에 포함되어 있습니다.

목차

1. 용어 설명
2. 개발 역사
3. 구조 및 동작 원리
- HEMT 개발에 있어 GaAs 가 가지는 장점
- 도핑 농도에 따른 캐리어 이동도의 비교 (at Silicon)
- HEMT 의 I-V 특성곡선의 예
- HEMT 샘플 사진
4. 소자 개발에 있어서의 경제적인 측면
5. 활 용
6. 앞으로의 개발 방향
7. 리포트를 맺으며

본문내용

 HEMT(High Electron Mobility Transistor)는 전자의 이동도가 높은 트랜지스터를 뜻한다.

 일반적인 전계효과 트랜지스터(FET)의 특징이라 볼 수 있는 입력과 출력의 양 전극간에 흐르는 전류를 제3의 게이트 전극의 전압으로 제어 방식을 따르므로 HEMT는 일종의 FET 소자라고 볼 수 있다. 연산속도는 피코초에 이르며, 초전도물질을 이용한 조셉슨소자와 함께 차기 슈퍼 컴퓨터 연산처리 장치 (CPU:Central Processing Unit) 에 사용될 소자로 유력하다.

개발 역사
● HEMT는 일본의 후지쯔 사에 수석 연구원인 ‘미무라(三村高)’로부터 1979년에 개발 되었다. 개발자는 회사에서 갈륨비소를 재료로 하여 MOS(금속산화막반도체)형의 FET를 제작하는 연구에 착수하고 있었는데 이 경우 전자의 속도가 원리적으로 실리콘의 전자 이동 속도보다 빠르기 때문에 산화막의 갈륨비소 표면에 전자를 유기할 수만 있다면 고속동작을 가능케 할 수 있다고 생각했다. 하지만 전자의 유기는 계속 실패하고 말았다. 개발자는 79년에 중요한...

● 알루미늄 갈륨 비소 박막에 주입한 불순물로부터 전자가 갈륨 비소 박막측에 침출해, 접합면에 극히 가깝게 전자의 극히 얇은 축적층을 자연스럽게 형성한다. 이곳에는 장해물로 되는 불순물 원자가 존재하지 않기 때문에, 전자가 고속으로 달린다. 그 결과, 동작속도가 향상되어, 높은 주파수의 전파도 수신, 증폭....
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