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차지펌프의 구조와 구동원리_SOI를 이용한 고전압 특성연구, dickson charge pump, ISO MOSFET

저작시기 2008.04 |등록일 2008.04.03 | 최종수정일 2015.01.28 파워포인트파일MS 파워포인트 (ppt) | 16페이지 | 가격 500원

소개글

Voltage doubler
Cockcroft Walton voltage multiplier
Dickson charge pumps
Static CTS charge pumps
Advanced charge pump techniques
Technique to increase the efficiency of high voltage charge pumps (paper)
Using ISO-MOSFET and Dickson circuits

목차

Voltage doubler
Cockcroft Walton voltage multiplier
Dickson charge pumps
Static CTS charge pumps
Advanced charge pump techniques
Technique to increase the efficiency of high voltage charge pumps (paper)
Using ISO-MOSFET and Dickson circuits

본문내용

Technique to increase the efficiency of high voltage C.P.

SOI MOSFET (silicon on insulator)
전계적으로 주위의 영향을 받지 안음
소수케리어에 의한 기생 캐페시턴스 X
소스, 드레인 저항 감소
MOSFET 구조를 매우 얇게 구성 가능
고 집적, 소형화 가능
동작 속도 증가
구조 축소에 따른 단채널 효과 X
Jucntion depth 축소에 따른 저항 증가 X
제작 공정 축소
절연벽 & well이 필요 없음

Conclusion
Using two phase clock 4MHz
Input voltage 3.3V
Six stage charge pump
Load resistor 1Mohm

19.4V output & 79% efficiency complete
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