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Thin film Deposition(박막 제조) - 대본

저작시기 2008.02 |등록일 2008.04.03 | 최종수정일 2017.02.17 한글파일한글 (hwp) | 4페이지 | 가격 1,500원

소개글

Thin film Deposition(박막 제조)에 관련된 ppt자료의 발표 대본입니다.

목차

<Thin Film Deposition>
1. Thin film deposition
2. Chemical Deposition
3. Physical Vapor Deposition
<남은자료 대본>

본문내용

<Thin Film Deposition>

1. Thin film deposition : layers of insulators, semiconductors, and conductors form integrated circuit 등을 만드는데 사용되는 없어서는 안 될 공정과정.
참고 : chemical, physical의 차이는 증착시키려는 물질이 기판으로 증착이 될 때 어떠한 과정을 거치느냐 이다.
- 쓰는 이유 : Passivation - 와이퍼를 물리적 화학적인 반응으로부터 막는다. 산소나 기타 불순물의 디퓨전를 막기도한다.
: Reduce the surface effect - 어시메트릭한 본딩에 의해 생기는 서페이스 이펙트를 줄여준다.
: Interlevel Dielectrics - 전기적인 인터엑션을 방지

2. Chemical Deposition
- Plating : 도금을 의미함. Electroplating(전기분해의 원리를 이용하여 물체의 표면을 다른 금속의 얇은 막으로 덮어 씌우는 방법.) 을 대부분 의미. 반도체에서는 사용되지 않음.

- Chemical Solution Deposition (CSD)
① 전구체 용액의 합성
② 코팅 또는 증착 과정 : Creating the homogeneous precursor layers on the desired substrate
③ 열처리 : deposited layer를 의도된 desired crystallize phase로 바꿈
④ 장점 : 원자하나정도의 스케일까지 컨트롤이 가능, 가장 간단하고 싼 증착방법(베큠을 만들 필요가 없고 특별한 챔버가 필요하지 않음,


- Chemical vapor deposition (CVD)
: 외부와 차단된 반응실 안에 Substate를 넣고 증학하고자 하는 Gas를 공급하여 열, 플라즈마, 빛(UVor LASER), 또는 임의의 에너지에 의하여 화학적 물리적 반응을 일으켜(Si 기판과 공급된 O2와 반응하여 산화막을 형성 시키는 Diffusion 과는 달리) 기판의 성질을 변화 시키지 않고 solid Deposition를 이루는 합성 공정.
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