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Ohmic contact & Passivation(오믹접합, 패시베이션) - 대본

저작시기 2008.02 |등록일 2008.04.03 | 최종수정일 2017.02.17 한글파일한글 (hwp) | 3페이지 | 가격 1,500원

소개글

Ohmic contact & Passivation(오믹접합, 패시베이션)에 관련된 ppt 자료의 발표대본 입니다.

목차

<Ohmic contact>
◇ Alloy - AuGe는 접합 저항이 낮고 공정재연성이 우수.
1. Sequence
2. Alloy를 하는 이유
3. Equipment
4. Ge/Ag/Ni을 사용하면 좋은 점
< Passivation >
1. MBE
2. Sol-Gel의 코팅 기술 방법

본문내용

<Ohmic contact>
◇ An ideal ohmic contact - no effect on device performance(the required current with no voltage drop)
목적 : Contact resistance를 벌크나 resistance of the semiconductor에 비해 무시될 만큼 작게 만드는 것

◇ Alloy - AuGe는 접합 저항이 낮고 공정재연성이 우수.
1. Sequence
① 웨이퍼의 표면을 가열
② AuGe가 녹으면서 alloy 가 시작.(Ge 이 GaAs 로 확산)
1) 확산도는 니켈 또는 표면 데미지(크리스탈 구조상의 defect 나 strain에 의한)에 의해 결정된다. 니켈과의 상관관계(280Å 니켈, 1000Å 금게르)정도의 두께로 증착한다. 니켈은


..중략..
④ Overcoat of "thick" Gold
1) contact resistance를 더 작게 만들어 준다. The charging and discharging of the leads resistance is a major cause of power dissipation in high clock rate


..중략..

2. Alloy를 하는 이유
- n+영역을 만든다.(게르마늄은 아래로 갈륨은 위로 디퓨젼, 더 적은 As evolve)
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