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Breakdown voltage, Contact Resistance - 대본

저작시기 2007.02 |등록일 2008.04.03 | 최종수정일 2017.02.17 한글파일한글 (hwp) | 5페이지 | 가격 1,500원

소개글

Breakdown voltage, Contact Resistance에 관련된 ppt 자료 발표 대본입니다.

목차

<Breakdown Voltage>
1. Physic
2. Measurement
3. Characteristic
4. Break Voltage, break Field

본문내용

1. Physic
- tunneling and TFE : 쇼키 베리어에서 조금 생기는 양, off-state Ig의 대부분을 차지
: 컨덕션 밴드의 큰 차이에 의해 전자는 핫 캐리어가 된다.
- impact ionization : 핫 캐리어로 들어온 전자가 채널안의 캐리어에서 에너지를 나누어 주며 EHP를 만들고 이 과정에서 나오는 hole이 네거티브 게이트 바이어스에 의하여 끌려 가게 된다.
2. Measurement
① Gate current Extraction Technique
: 먼저 Vds vs Id 를 plot 한 후 ig에 -1mA를 걸어 주고 Id는 ig~Imax의 20~40% 정도까지 값의 변화를 주면서 그 자취를 앞에 서 잼 그래프에 그려 나간다.
: 장점 - off state에서부터 on 으로 넘에가는데까지 모든 범위에서 VB 정의가 분명하다,
- gate current를 넣는 것은 output conductance를 재는데 용이 하다.(ig가 정해져 잇고 Vgs는 측정을 하므로)
② Drain current Injection Technique
: Id를 1mA로 injection 하고 Vgs를 0V부터 줄이면서 ig, Vdg, Vds를 측정한다. 채널이 없어 지며 id를 유지하기 위해 Vds, Vgs가 올라간다. 그래프를 보면 id가 모두 ig 로 감을 알 수 있다.
: 장점 - 측정이 간단하고 safe.

3. Characteristic
① 온도 특성
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