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물리학및실험2>옴의법칙

저작시기 2007.11 |등록일 2008.04.02 한글파일한글 (hwp) | 4페이지 | 가격 800원

소개글

물리학및실험2>옴의법칙

목차

1. 실험제목 :
2. 실험이론
3. 실험방법
4. 실험 결과
5. 분석 및 토의

본문내용

1. 실험제목 : 옴의 법칙

2. 실험이론
A.옴의 법칙
어느 저항체에 걸리는 전압 V와 이에 흐르는 전류 I의 비율은 전기저항 R이라 하며 다음과 같은 식으로 표현할 수 있다.
V= IR
여기서 전기저항 R은 물질의 종류, 모양, 크기, 온도 등에 따라 달라지며, 걸린 전압 V 에 따라서도 달라질 수 있다. 보통 저항체의 경우에는 걸린 전압 V나 전류I와는 무관하게 일정한 전기저항 R을 갖는다. 이와 같이 전압 V와 전류 I가 일정한 상수 비율(전기저항 R)로 주어지는 것을 옴의 법칙이라 한다. 반면에 반도체를 이용한 다이오드나 트랜지스터의 경우에는 옴의 법칙이 성립되지 않고 전기저항이 걸린 전압의 방향이나 크기에 따라 달라진다.

B.다이오드 특성
V족 불순물을 첨가하여 자유로운 전자를 가지는 반도체를 n형 반도체라 한다. 그리고 3족 불순물을 첨가하여 양공이 형성된 반도체를 p형 반도체라 한다. 이와 같이 n형 반도체와 p형 반도체를 접합시켜 놓은 것이 반도체 다이오드이다.
그림과 같이 p쪽에 +전위를, n쪽에 -전위를 걸어주는 경우를 순반향 전압이라 하고, 그림과 같이 반대로 전위를 걸어줄 때를 역방향 전압이라 한다. 역방향 전압의 경우, p형 반도체층 내부영역의 양공은 낮은 전위의 -전극 쪽으로, n형 반도체층 내부영역의 전자는 전위가 높은 +전극쪽으로 끌려간다
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