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실험 5. 트랜지스터의 DC 특성(예비)

저작시기 2006.03 |등록일 2008.03.29 한글파일한글 (hwp) | 4페이지 | 가격 500원

소개글

전자회로실험

목차

(가) pnp biasing
(나) β 측정
(다) Vce 대 Ic

본문내용

(다) Vce 대 Ic
BJT I-V 특성 측정 회로의 시뮬레이션이다. 앞에서와 마찬가지로 가변저항은 저항하나로 대체했다. 콜렉터 이미터 전압에 따른 콜렉터 전류를 확인하는 시뮬레이션이다.
그러나 역시 실험(나)와 마찬가지로 시뮬레이션에 실패했다. 이론적으로 전압과 전류가 비례하는 것을 알기에 비례하는 그래프가 나와야 정상이었다. 활성영역에서 동작하는 BJT 트랜지스터들은 컬렉터 전류가 컬렉터 전압에 의존하게 된다. 그로인하여 -특성들은 완전한 수평 직선이 아니게 된다. 즉 실험책 5-11의 (a)그래프와 같게 된다. 회로에서의 트랜지스터는 공통 emitter구성이다. 그리고 트랜지스터의 는 base와 emitter 사이에 접속된 가변저항에 의해 전압을 조절할 수 있다. 의 낮은 값들에서, collector 전압이 base 전압 아래로 떨어짐으로써 collector-base 전압은 순바이어스가 되고 트랜지스터는 활성모드에서 포화모드로 바뀌게 된다. 그래프들은 유한한 기울기를 갖게 된다.
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