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P-5000

저작시기 2006.08 |등록일 2008.03.29 한글파일한글 (hwp) | 3페이지 | 가격 1,500원

소개글

P-5000 레포트

목차

▣ 장비 개요
▣ (SOG, SOI) 공정시 주의 사항
▣ Manual
▣ 공정 recipe

본문내용

▣ 장비 개요
MERIE → Dry Etch, Plasma Source, 식각 속도/ rate 향상
학생용 1대, CMOS 3대 - 총 4대) 4" × 2, 6" × 1 wafer 전용 (시편 ×)
backside pattern 된 wafer ×
backside pattern 지저분 wafer - vacuum 저해 요소
quartz, glass wafer 공정 × (투명 ×)
etch (클램프로 눌러주는 타입) → wafer가 휘면 깨거나 etch 시 helium leak이 생김.

▣ (SOG, SOI) 공정시 주의 사항
wafer bonding 시 주의 - bonding 확실히!! ☆ (wafer 깨지고 장비 다운 됨)
※ TEOS 공정 온도 390℃ (약 400℃)
→ 공정 시 burn이 일어날 수 있으므로 wafer 상태가 양호해야 함.
※ etch 직후 TEOS deposition 공정 안됨.
→ Oxide layer가 올라가지 않는다.
⇒ etch particle 때문에 꼭 cleaning 후 TEOS deposition 해야 함.
※ 얇은 wafer는 etch/depo. rate에 영향을 줌.
→ edge 쪽의 영향을 받아 깨지기 쉽다. (주의!!)

▣ Manual

SYSTEM

monitor remote panel
> Chamber B
TEOS 온도 36.8℃로 설정되어 있는지 확인, check !!
200%, %; 퍼센트 율 : TEOS rate
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