검색어 입력폼

MOSFET

저작시기 2006.05 |등록일 2008.03.23 한글파일한글 (hwp) | 8페이지 | 가격 1,500원

소개글

MOSFET의 기본 동작 원리와 종류에 대해 알아본다.

목차

MOSFET
MOSFET의 기본 동작 원리와 종류에 대해 알아본다.
1. MOSFET의 종류
2. MOSFET의 동작영역
3. MOSFET의 개발과 사용처
4. MOSFET의 기본 원리

본문내용

MOSFET는 풀어쓰면 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. 즉,금속산화막반도체 전계효과 트랜지스터라고 한다.

1. MOSFET의 종류

 N-Channel/P-Channel MOSFET

(a) N-채널 MOSFET 단면구조 (b) P-채널 MOSFET 단면구조

위의 그림은 n-채널 MOSFET와 p-채널 MOSFET의 단면 구조이다. MOSFET의 동작은 게이트와 실리콘 기판 사이에 전압을 인가하여 게이트 산화막에서의 수직 방향의 전계 세기를 크게 하면 실리콘 표면에 반전 캐리어가 모이게 된다. 이러한 반전 캐리어가 모인 실리콘 표면을 채널(channel)이라고 하며, 정공이 모인 경우 p-채널, 전자가 모인 경우를 n-채널이라 한다. 게이트 전압이 0V일 때 소스와 드레인 사이의 채널형성 여부에 따라 공핍형과 증가형으로 구분된다. 증가형 MOSFET의 경우 소스에 대한 게이트전압이 0V일때 채널이 형성되어있지 않아 드레인과 소스 간에 전류가 흐르지 않는다.


 공핍형 MOSFET


양과 음의 게이트 소스 전압에서 동작함 음의 Vgs는 핀치 오프 전압이 될때까지 드레인 전류를 감소시켜 드레인 전류가 흐르지 않게 하고 전달특성은 음의 게이트 소스전압에 대해서는 동일하지만 양의 Vgs값에 대해서는 드레인 전류는 계속적으로 증가한다. 특히 게이트는 Vgs의 음과 양전압 상태에서는 채널과 절연되어 있으므로 디바이스는 Vgs 의 어떠한 극성에 대해서도 동작하지만 어느 경우나 게이트 전류는 흐르지 않는다.
다운로드 맨위로