검색어 입력폼

고체전자공학 발표자료 - 반도체의 케리어 농도

저작시기 2006.04 |등록일 2008.03.17 파워포인트파일MS 파워포인트 (ppt) | 8페이지 | 가격 500원

소개글

고체전자공학책에서의 `반도체의 케리어 농도`에 대한 발표자료 입니다.

목차

1. Fermi level
2. Electron density
3. 전도대역에서의 전자농도
4. 가 전자대역에서의 정공농도
5. The others characteristic

본문내용

Fermi level
에너지 E에서 취할 수 있는 에너지상태와 절대온도 T에서 전자가 점유할 확률을 나타낸다.
Electron density (Intrinsic)
Intrinsic
Energy bend diagram
N(E)
f(E)
Carrier density
= n(E)
전도대역에서의 전자농도
→ Fermi-Dirac distribution function
→ 에너지영역 dE에 있는 에너지
상태의 밀도 : 에 비례
전자농도는 가 전도대역에 가까이 이동할수록 증가
가 전자대역에서의 정공농도
The others characteristic
열적 평형이 유지될 때
평형상태에서 n과 p의 곱은 도핑이 변경되어도 일정하다
캐리어는 짝을 지어 생성되므로 진성반도체의 전자 및 정공 농도는 같다
The others characteristic
식 (3-24)에 의해 n=p이므로

참고 자료

고체전자공학 책
다운로드 맨위로