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NPN PNP BJT Gummel PLOT IC VCE VBE 전류전압특성 내부커패시턴스 대역폭 반도체 소자분석 Bandwidth pspice

저작시기 2007.03 |등록일 2008.03.08 파워포인트파일MS 파워포인트 (ppt) | 9페이지 | 가격 2,000원

소개글

웨이퍼에 집적된 BJT 소자를 프로브스테이션과 분석기를 통하여 Sweep한 결과 값을 추출하는 실험에 대한 보고서 입니다. 데이터값과 값을 바탕으로 IC-VCE ,VBE, Gummel PLOT이 있고,
해당소자에 대한 스파이스 파라미터값, 그리고 그값으로 spice시뮬레이션한 파형
내부 커패시턴스 특성, 밴드위스, 기판효과 등의 파형이 있습니다.
총 21개의 파형과 그래프/ 모델파라미터에 대한 설명
분량은 9페이지이지만 다량의 그래프가 있으며, 파형 확대시 깨끗한 출력 보장

목차

1.추출값
2.추출값으로 구한 파형
3.스파이스시뮬레이션
4.파라미터설명

본문내용

Model parameters* Description Units Default
----------------------------------------------
AF flicker noise exponent 1.0
BF ideal maximum forward beta 100.0
BR ideal maximum reverse beta 1.0
CJC base-collector zero-bias p-n capacitance farad 0.0
CJE base-emitter zero-bias p-n capacitance farad 0.0
CJS (CCS) substrate zero-bias p-n capacitance farad 0.0
CN quasi-saturation temperature coefficient for hole mobility 2.42 NPN 2.20 PNP
D quasi-saturation temperature coefficient for scattering-limited hole carrier velocity 0.87 NPN 0.52 PNP
EG bandgap voltage (barrier height) eV 1.11
FC forward-bias depletion capacitor coefficient 0.5
GAMMA epitaxial region doping factor 1E-11
IKF (IK) corner for forward-beta high-current roll-off amp infinite
IKR corner for reverse-beta high-current roll-off amp infinite
IRB current at which Rb falls halfway to amp infinite
IS transport saturation current amp 1E-16
ISC (C4) † base-collector leakage saturation current amp 0.0
ISE (C2) † base-emitter leakage saturation current amp 0.0
ISS substrate p-n saturation current amp 0.0
ITF transit time dependency on Ic amp 0.0
KF flicker noise coefficient 0.0
MJC (MC) base-collector p-n grading factor 0.33
MJE (ME) base-emitter p-n grading factor 0.33
MJS (MS) substrate p-n grading factor 0.0
NC base-collector leakage emission coefficient 2.0
NE base-emitter leakage emission coefficient 1.5
NF forward current emission coefficient 1.0
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