검색어 입력폼
평가점수D

MOS capacitor의 기본 원리 입니다.

저작시기 2007.05 |등록일 2007.09.23 한글파일한컴오피스 (hwp) | 10페이지 | 가격 1,200원

소개글

mos capacitor의 기본 원리 및 I-V,C-V 특성입니다.

목차

1. Metal-반도체 schottky barrier
1) 이상적인 MS 접촉
2) Schottky Barrier
① 정류성 접촉
② 옴 접촉
③ 대표적인 쇼트키 장벽
2. MOS capacitor
1) MOS 기본 원리
① 이상적인 MOS Capacitor 구조 정의
2) MOS Capacitor 구조
3. 분석장비
4. 참고문헌

본문내용

1. Metal-반도체 schottky barrier
금속반도체(metal-semiconductor) 접촉은 모든 고체상태 소자들에서 한 종류 또
는 다른 종류의 소자들에서 매우 중요한 역할을 한다. 정류되지 않거나 저항접촉의
형태에서, 반도체와 외부세계 사이의 중요한 연결을 담당한다. 쇼트키다이오드 또는
MS 다이오드라 불리는, 정류한 MS 접촉은 수많은 다이오드 구조에서 발견되고, 그
자체로도 중요한 소자이다.
1) 이상적인 MS 접촉
이상적인 MS 접촉은 다음의 성질을 갖는다.
(1) 금속과 반도체는 성분들 사이의 어떤 한 종류의 기층 없이(산화물에서와 같
이), 원자범위에서 친밀한 접촉을 한다고 가정된다.
(2) 금속과 반도체 사이의 어떠한 상호확산과 상호혼합(intermixing)이 없다.
(3) MS 경계면에 어떠한 흡수된 불순물 또는 표면전하도 없다.
처음 해야 할 일은 평형조건에서 이상적인 MS 접촉에 대한 적당한 에너지대역
다이어그램을 만드는 것이다. 전기적으로 절연된 금속과 반도체 성분들 각각에
대한 표면에 포함된 에너지영역 다이어그램은, 아래의 그림에 나타나 있다

참고 자료

[1] 박창엽 외. 『반도체 소자 공학』. 교보문고. 2000
[2] Ben G. streetman, Sanjay Banerjee. 『Solid State Electronic Devides,
6th Edition』. 2005.
[3] http://ccrf.skku.ac.kr/analysis/menu.php (성균관대학교 공동 기기원)
다운로드 맨위로