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평가점수A

[공학]j-fet

저작시기 2007.01 |등록일 2007.06.08 한글파일한글 (hwp) | 6페이지 | 가격 1,000원

소개글

☛ JFET의 드레인 전류에 대한 드레인 - 소스 전압 효과와 게이트 - 소스 효과 드레인 전류와 게이트 - 소스 전압의 특성 및 상호간의 관계를 이해한다.

목차

목적
준비물
이론

본문내용

1. 목적

☛ JFET의 드레인 전류에 대한 드레인 - 소스 전압 효과와 게이트 - 소스 효과 드레인 전류와 게이트 - 소스 전압의 특성 및 상호간의 관계를 이해한다.

2. 준비물

☛ 오실로스코프
☛ 직류전원장치
☛ 멀티미터
☛ 전류계
☛ JFET : 2SK30
☛ 저항 : 1kΩ, 10kΩ, 2.2kΩ

3. 이론


바이폴라 접합 트랜지스터 (Bipolar Junction Transistor : BJT)는 두 개의 반송자인 전자와 정공의 운동에 의해 동작한다. 이와 달리 한 가지 형태의 반송자인 전자와 정공의 운동에 의해 동작한다. 이와 달리 한 가지 형태의 반송자에 의해 동작하는 단 방향 소자로서 전계효과 트랜지스터 (Field Effect Transisotr : FET) 라 불리는 소자가 있다. 그중에 가장 기본적인 소자인 접합 전계 효과 트랜지스터 (Junction FET : JFET)의 동작 원리 및 특성에 대하여 이해한다.


☛ JFET의 동작

그림 4-1은 N- 채널 JFET를 설명하고 있다. n 채널 JFET는 게이트, 소스, 드레인의 3 단자를 갖고 있으며 채널은 n형 반도체로 이루어져 있다. 드레인과 소스의 단자 리드는 채널의 위 아래에 그림
4-1 N채널 JFET. (a) 단일 게이트 (b) 이중 게이트
Ohmic 접촉으로 되어있다. 채널의 양쪽에 p형 반도체인 게이트는 반도체 접합을 이로고 있어 접합형 FET라 불린다. p형 반도체인 Ohmic 접촉은 게이트의 단자 리드로 작용한다.
게이트1, 2가 제작과정에서 내부적으로 연결되어 있을 때 단일 게이트 FET라 하고 각 접합에서 분리되어 있을 때 쌍 게이트 FET라 한다.

FET에서 드레인은 쌍극성 트랜지스터의 콜렉터, 소스는 에미터, 그리고 게이트는 베이스와 같다. 그러나 단극성 트랜지스터의 작동은 쌍극성 트랜지스터와 다르다. 주된 차이점은 쌍극성 트랜지스터의 콜렉터전류가 베이스전류에 의해 제어되는데 비해 JFET의 드레인 전류(ID)는 게이트 – 소스 전압(VGS)에 의해 제어된다.

JFET의 동작을 이해하기위해 그림4-2에 있는 채널의 상하에 Ohm적 접촉을 가진 N형 반도체를 생각하자. 만약 접지 VDD가 그림에서 나타난 극성을 가지고 채널에 연결되어 있으면, N 채널의 부극성 전하캐리어(전자)는 정극성 단자로 향한다. 또한 전지의 부극성에서 나온 전자는 소스를 통해 N채널로 들어가 드레인을 떠난 전자를 보충한다.
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