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박막의 표면처리 및 식각 실험 예비보고사

저작시기 2007.05 |등록일 2007.06.04 한글파일한글 (hwp) | 13페이지 | 가격 900원

소개글

반도체 제조공정인 리소그라피와 에칭 공정을 다뤘으며,
박막의 식각도 알아본다.

목차

1. 플라즈마 정의와 이용분야

2. 리소그라피 종류와 단계

3. 반도체 제조 공정

4. 플래시 메모리 소자의 원리

5. 화학공학전공자가 반도체 산업에 필요한 이유

6. 참고문헌

본문내용

/5./실험이론/

(1)플라즈마(Plasma)의 정의와 이용 분야

①플라즈마의 정의
랭뮤어에 의해 처음 불리워진 ‘플라즈마’는 혈장(Blood Plasma)에서 따왔다는 설이 있으나, 이것과 관계없이 그리스어를 잘 알고 있던 랭뮤어는 πλασμα에서 어원을 따왔다. ‘to mold`라는 뜻의 플라즈마는 주형에 따라 그 모양이 변화하는 데에 착안한다. 한편으로 물질의 제4의 상태라고 불리우며, 고체, 액체, 기체와는 구별되는 성질을 띤다. 수천도 이상으로 가열하게 되면, 기체 상태를 지나 그 속의 기체 분자들끼리 격렬하게 충돌하여 이온화가 일어나서 다수의 양이온과 전자가 발생하고 이것들이 움직여 떠돌아다니는 상태에 이르게 되는데 이것이 플라즈마 상태이다.
기체 분자나 원자가 이온화 될 때 양이온과 전자는 반드시 쌍으로 발생하므로 플라즈마 안의 양이온의 수와 전자의 수는 거의 같아서 전체적으로 전기적인 준 중성(Quasi-neutral) 상태를 유지한다고 할 수 있다.
인도의 천체 물리학자 사하의 계산에 의하면 “우주의 99.9%는 플라즈마상태에 있다고 말할 수 있다.”고 한다. 따라서 우리들은 예외적으로 온도가 낮은 별(지구)에서 생활하고 있는 셈이다. 그 외에 자연계의 플라즈마로는 태양, 전리층, 오로라, 번개 등을 들 수 있다. 인공적으로 플라즈마를 만들기 위해서는 물질을 가열하기보다는 기체방전을 이용하는 편이 간단하면서도 효율적이어서 많이 활용된다. 이는 형광등, 네온사인, 아크 용접 등과 같은 예에서 찾아볼 수 있다.
대기압에 가까운 고기압에서 방전을 하면, 전자와 이온, 중성입자 간의 충돌이 격렬해지며 입자간의 운동 에너지 교환이 충분히 이루어져서 열평형 상태가 된다.

참고 자료

스가이 히데오 외1인, “플라즈마 일렉트로닉스”, (주)교학사, 2006, p8~16, 168~170
Alfred Grill, "공정 플라즈마 기초와 응용", 청문각, 2004, p1~5, 23~25, 261~291
V.Dembovsky, "플라즈마 금속학“, 반도출판사, 1992, p414~420
이건모, “반도체 제조와 환경문제”, 국가청정생산지원센터, 2003, p1~6
이장우, “고밀도 플라즈마를 이용한 ZnO 박막의 식각 특성”, 인하대학원 석사 논문, 2006, p5~15
위키백과
http://blog.naver.com/hedger/80033393478
chem.kaist.ac.kr/old_home/before/SEE-KAIST_2001/PDF_Panel/Panel_09.pdf
http://www.e-sytech.co.kr/
http://spl.skku.ac.kr/sub/research_2.html
http://plasma.cau.ac.kr/zero/zboard.php?id=equipment
http://www.hanyang.ac.kr/admission/scholar/2001/3-ho/gohanyang/leader.html
http://blog.naver.com/lancer2?Redirect=Log&logNo=100033443710
http://cafe.naver.com/mse9801.cafe?iframe_url=/ArticleRead.nhn%3Farticleid=3
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