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[공학기술]공명터널링 다이오드

저작시기 2007.06 |등록일 2007.06.02 파워포인트파일MS 파워포인트 (ppt) | 16페이지 | 가격 1,000원

소개글

공명 터널링 다이오드내용입니다.

목차

1. 정의
2. 구성
3. 터널다이오드와 공명터널링 다이오드의 차이점
4. 동작
5. 공정순서
6. 구조
공명터널링 다이오드 응용....

본문내용

1. 정의
공명 터널링 다이오드 (RTD, Resonant Tunneling Diodes)는 ‘공 명 터널링’ 현상을 이용한 다이오드를 의미함.
공명 터널링 현상 : 양자 투과율 (tunneling rate)은 두 우물 각각에 있는 양자화된 전자의 에너지 준위들이 서로 일치할 때 전자의 흐름이 급격히 증가하게 되는 현상
평평한 계면을 갖는 이종 접합 구조로 전자의 De Broglie 파장 (~100 Å) 정도 두께의 층 구조를 인위적으로 쌓아올린 다층 반도체 구조
2. 구성
3. 터널다이오드와 공명터널링 다이오드의 차이점
4. 동작
5. 공정순서
6. 구조
공명터널링 다이오드 응용....

참고 자료

1. H. Brugger, U. Meiners, C. Wolk, R. Deufel, j. Schroth, A. Forster and H. Luth, “High GaAs-Based Resonant Tunneling Diodes for High Frequency Device Applications”, Proceedings IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits,pp39~48, Aug. 5-7, 1991.
Jian Ping Sun, George I. Haddad, Pinaki Mazumder, Joel
N. Schulman, “Resonant Tunneling Diodes : Models and Properties”, Proceedings of the IEEE, 86(4). pp641~661, 1998.
http://www.kps.or.kr/~pht/7-10/18.html,
노삼규, 이정일, “ 저차원 반도체의 물리학과 응용 ”
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