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PVD와 CVD법

저작시기 2007.03 |등록일 2007.05.28 한글파일한글 (hwp) | 2페이지 | 가격 300원

소개글

증착법 물리, 화학적 증착법 1장 반짜리 요약 레포트입니다.

목차

■ Physical Vapor Deposition
1. Evaporation
3. Sputtering
■ Chemical Vapor Deposition

본문내용

Physical Vapor Deposition
진공상태에서 plasma를 이용해 고체상태를 기체상태로 바꿔 기판에 증착하는 방식
plasma ; 양/음전하가 동일하게 존재하는 이온화된 가스
plasma discharge : 열을 가하지 않고 반응이 촉진가능, 활성화E를 저하시키는 효과 저온 공정에 유리
plasma 과정 : ionization, excitation-relaxation, dissociation
1. Evaporation
- 열 source : 고융점 filament, baskets, 전자beam, 융점이 낮은 재료 증착에 유리
- 장점 : 빠른 속도, 고융점 재료의 증착 가능
- 단점 : X-ray 발생, 와류 또는 discharge
3. Sputtering
. 공정단계
- chamber내 Ar 불활성 기체 투입 cathode에 전압을 가하면 방출된 전자들이 Ar기체원자와 충돌하여 Ar을 이온화 Ar이 여기 되면서 전자와 에너지를 방출하면 plasma 발생 plasma 내 Ar+ 이 target과 충돌하여 기판에 박막 형성
장 점
단 점
균일한 박막 증착 / 전처리 청결공정
고가
박막 두께조절 용이
낮은 증착률
정확한 합금 성분조절 가능
불순물 증착
<중략>
고순도 박막 형성 가능
반응물질 유량, 증착 온도 및 시간에 매우 민감하여 공정조건을 세우기 어려움
재료의 선택에 따라 다양한 박막 형성
대량처리 가능
control이 쉽다
공 정
precursors 유입, 확산 기판 표면에 흡착하여 화학반응 byproduct들이 표면에서 핵 생성(islands glow) islands merge 박막형성
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