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[공학]램의변천과정,차세대입출력장치

저작시기 2007.01 |등록일 2007.04.22 한글파일한컴오피스 (hwp) | 7페이지 | 가격 900원

소개글

생활전기전자

목차

Ⅰ. 주기억장치인 RAM의 종류와 변천과정을 설명하여라.
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Ⅱ. 차세대 입출력 장치에는 어떤 것이 가능할지를 논하라.
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본문내용

Ⅰ. 주기억장치인 RAM의 종류와 변천과정을 설명하여라.

1. SIMM(Single In-line Memory Module)
대규모 집적 회로(LSI) 메모리칩을 인쇄기판에 압축하여 붙인, 개인용 컴퓨터(PC) 등의 기억 용량 증설용 기판 모듈로, 통상 PC는 8, 16, 32비트 단위로 데이터를 취급하기 때문에 8개 또는 4개 단위의 동적 램(DRAM) 칩으로 된 SIMM 기판이 제품화되어 있으며, 데이터의 오류를 없애기 위한 패리티 검사용의 1비트를 부가한 제품도 있다.
이것들은 CPU와 상관이 없이 독자적인 클럭을 가졌다. 따라서 CPU가 데이터요청을 하나 하려면 램이 준비가 다 되기까지 무작정 기다려야 한다는 게 문제를 가지고 있다. 그래서 이것들을 통틀어서 비동기 메모리라고 한다.

2. PRAM(Page Random Access Memory)
가장 기본적인 형태이다. 아주 고전적인 형태에서 조금 발전된 메모리이다. 이 메모리이전의 램들은 셀을 한번 읽을 때마다 신호를 보내야한다는 불편함이 있다. 그러나 이 메모리에서는 신호가 한번만 떨어지면 셀을 계속 읽을 수 있도록 설계된 것이다.

3. FPRAM(Fast Page Random Access Memory)
페이지모드 메모리에 예비신호를 미리 붙여버리는 방식으로 신호대기가 없는게 장점이다. FP램은 DRAM과 약간 틀린데 다음과 같이 정의 할 수가 있다. DRAM은 우선 접근을 하여 주소를 읽고 그 주소의 데이터를 버퍼에 읽는다. 그러므로 버퍼는 주소를 가지므로 그것만으로 데이터에 접근을 하는 것이 가능해진다. 바로 이 데이터를 접근하는 것을 Fast Page 모드라고 한다. 바로 이것을 이용하는 램을 FPRAM이라고 한다. 데이터를 모두 접근 하는 것이 아니라 주소를 기억함으로서 데이터를 처리하기 때문에 더 빠른 처리를 기대 할 수가 있다. 그러나 이것도 한계가 있어서 40ns가 그 처리 속도의 한계이다. 또한 클럭이 35ns에서 28.5Mhz가 한계이므로 66Mhz의 기본 버스 클럭을 따라가지 못함에 따라 그 데이터 처리 능력에 문제가 생길 수밖에 없었다. 즉, DRAM은 열 주소를 기준으로 그 열의 데이터를 전부 읽는 방식으로 되어있어 그 데이터가 읽힌 이후에는 행 어드레스를 통해서 데이터를 검색할 수가 있는데 바로 이점을 이용한 것이 FPRAM인 것입니다. DRAM에 FP모드를 가지고 있는 것이라고 볼 수가 있다.

참고 자료

없음
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