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[공학]포토저항기

저작시기 2007.01 |등록일 2007.04.20 한글파일한컴오피스 (hwp) | 11페이지 | 가격 1,600원

소개글

포토저항기에 관하여 알아보자.

목차

1. 관련 이론
2. 실험방법 및 결과
1) 포토 저항기
가. 반전 증폭기 참고이론
나. 연산 증폭기의 특성
다. 전압 관계로 해석
라. 전류 관계로 해석
마. 발진기 참고이론
바. 각 핀의 기능
※ 참고자료

본문내용

CdS 셀이란 황화카드뮴을 주성분으로 하는 광도전 소자로서 조사광에 따라 내부저항이 변하는 저항기이다. CdS 셀 외에 셀렌을 합한 CdSe, CdS․Se 등이 있으나 CdS 셀을 가장 많이 사용한다. CdS 셀 구조는 세라믹 기판에 CdS 분말을 소결하여 광량에 따라 전도도가 변하도록 만들었다. 그림 2-1에서는 CdS 셀 구조를 보여주고 있다. 셀을 지그재그로 제작한 이유는 보다 넓은 표면적을 제공하여 동작전압이 낮아지도록 한 것이다.
CdS 셀에 에너지가 전혀 조사되지 않을 경우는 거의 절연체에 가깝게 동작하나 임의의 입사광을 인가하면 입사 에너지에 비례하여 저항이 저하된다. 이 관계를 로그 그래프로서 표현하면 그림 2-2와 같이 거의 직선으로 표현된다. 그러나 CdS 셀 종류에 따라 그래프가 달라지므로 주의해야 한다.
포토 저항기는 증폭기나 발진기의 바이어스를 위한 전위차계로 사용할 수 있다. 셀에 조사되는 빛이 증가하면 부하저항 RL을 통해 많은 전류가 흐른다. 트랜지스터와 같이 사용하면 셀에 빛이 조사되지 않을 경우는 A급 증폭기로 동작하다가, 빛이 방사되면 증폭기는 전도상태가 되어 차단된다. 즉 빛의 유무에 따라 트랜지스터를 OFF 상태에서 ON 상태로 스위칭 한다. 증폭기는 주파수 변조 발진기로도 사용할 수 있는데 주파수는 빛의 강도에 의존한다.
또한 사용하기가 쉽고, 크기가 작으며 신뢰성이 있어 경제적이기 때문에 카메라의 자동 노광 조정, 가로등, 제품의 감지 등에도 사용한다. 표 2-1에서 많이 사용하고 있는 포토 저항기를 제시하였다.
CdSe로 만든 VT912의 저항비는 1300:1(20㏁/15㏀)이며, 0.735㎛의 파장에서 최대 응답이 나오도록 제작되었다. 50%까지 하강하는 -6㏈ 점은 0.702와 0.8㎛이며, 상승시간은 2㎳이다.
태양전지는 광 에너지를 전기 에너지로 변환하는 트랜스듀서로서 PN 접합 다이오드 구조를 갖는다. 그러나 태양전지는 출력 에너지로의 변환 효율이 매우 중요하다. 그 구성을 보면 P형 물질로는 셀레늄이나 실리콘, N형 물질로는 카드뮴과 실리콘이 사용된다.


2. 실험방법 및 결과

1) 포토 저항기
다음과 같은 회로를 구성하여 5V 램프나 주변의 빛을 광원으로 사용하여 다음을 측정하라.소자들이 빛에 민감하므로 되도록 빛을 차단할 수 있는 장치내에서 실험이 이루어지도록 한다.
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