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Armstrong - Wynne 법칙, 술폰화 반응

저작시기 2007.01 |등록일 2007.04.06 한글파일한컴오피스 (hwp) | 4페이지 | 가격 300원

소개글

Armstrong - Wynne 법칙 과 술폰화 반응에 대한 조사들.

목차

없음

본문내용

Armstrong - Wynne 법칙

나프탈렌을 황상/발열황산과 반응시키면 반응온도에 따라 술폰화 위치가 달라진다.
-50℃↓: α위치, -150℃↑: β위치
디알킬 슬폰화 반응에서는 p-, o-, peri 위치에서 슬폰화 반응이 일어나지 않는데 이것을 Armstrong - Wynne 법칙 이라고 한다.



Peri의 위치

제 2의 술폰기는 저온(50C)에서는 제 1의 술폰기에 대하여 가장 멀리 떨어져 있는 α-위치에, 고온에서는 가장 멀리 떨어진 β-위치에서 치환된다. 1과 8, 4와 5의 위치를 서로 peri의 위치라고 한다. 그러므로 나프탈렌의 디술폰산은 4종류, 트리술폰산은 3종류, 테트라술폰산은 1종류((1,3,5,7-나프탈렌테트라술폰산)가 생성하는 셈이 된다. 나프탈렌의 모노술폰산 중에서 중요한 것은 β-나프탈렌술폰산으로 이것을 알칼리용융하여 산으로 처리하면 β-나프톨이 생기는데 염료와 안료 등의 중간체로 중요하다.

술폰화 (sulfonation)

유기 화합물에 술폰기의 (-SO3H)를 도입시키는 공정을 광범위한 의미에서 술폰화(sulfonation)라고 한다. 술폰기의 일반식은 -SO3H이며 보통 탄소원자에 도입되는 경우가 많으나, 때로는 질소원자에 도입되는 경우도 있다. 일반적으로는 방향족 탄화수소 또는 그 유도체 등의 방향족화합물에 황산, 발연황산, 삼산화황 또는 클로로황산(클로로술폰산) 등의 시약을 작용시켜 술폰산기로 치환하는 반응을 말한다.
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