소개글
- Pspice를 통하여 CMOS Inverter, NAND, NOR의 시뮬레이션을 통하여 동작 및 특성을 고찰한다.
목차
【 목 적 】
【 수 행 계 획 】
【 실 행 】
【 결과 와 결론 】
본문내용
【 목 적 】
- Pspice를 통하여 CMOS Inverter, NAND, NOR의 시뮬레이션을 통하여 동작 및 특성을 고찰한다.
【 수 행 계 획 】
- MbreakN/P MOS 소자를 주어진 Schematic을 기반으로 하여 Wiring하고, 해당 소자의 진리표(TRUE Table)에 준하는 조건의 V-Source를 입력 하여 해당 Inverter, NAND, NOR의 동작을 확인한다.
【 결과 와 결론 】
V(IN)의 입력의 파형은 이상적으로 입력되었다. 출력은 Inverting이 되어 나타나는
것을 볼 수 있으나, 출력에서는 TR/TD 간격이 약간 늘어난 모습을 볼 수 있다.
- 입력인 V(A), V(B)의 입력은 2.5V Scale을 갖고 출력부분은 3.3V Scale을 갖도록
하여 출력의 파형을 보기 좋게 나타내도록 하였다
참고 자료
없음
압축파일 내 파일목록
2006_10_25(Pspice_Inverter_NAND_NOR_Simulation).hwp