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[공학]차세대 비휘발성 메모리 소자.

저작시기 2007.01 |등록일 2007.03.28 한글파일한컴오피스 (hwp) | 8페이지 | 가격 1,000원

소개글

차세대 비휘발성 메모리 소자에 대해서 간략하게 정리한 리포트입니다.

목차

서론
PRAM
NFGM
PoRAM

본문내용

표 1에서 알 수 있듯이 컴퓨터 주기억장치의메모리 소자로 사용되는 DRAM(Dynamic Random Access Memory)은 현재 cell 면적이 0.065μm2으로 집적도가 뛰어나고 write/erase 시간이 70 nsec 정도로 동작속도가 빠른 장점을 가지고 있다. 현재 Giga DRAM이 상용화 되어 있으며, 2010년에는 8Giga DRAM이 상용화 될 것으로 기대한다. 그러나 DRAM 소자는 규칙적으로 외부전원공급에 대한 소자 refresh를 해야만 축적된 정보를 보관할 수 있는 휘발성(volatile)메모리 소자로서 치명적인 단점을 가지고 있다. 이를 해결하기 위하여.......

반면, 최근 mobile phone, MP3, digital camera, USB 등에 폭발적으로 사용되고 있는 NAND flash memory는 DRAM소자의 휘발성 동작을 하는 단점을 해결한 비휘발성(non-volatile)메모리 소자이다. 현재 상용화 되고 있는 NAND형 플래시메모리는 집적도면에서 4기가비트급이며 write/erase시간이 수십 μsec로 느리고 10 ~ 20 V의 높은 공급 전압에서 동작하는 특성을 나타내고 있다. 현재의 NAND 플래시메모리소자는 폴리 실리콘으로 만들어진 플로팅 게이트(floating gate)에 전하를 축적 혹은 방전을 통해 트랜지스터의 문턱전압(thresholdvoltage) 변화를 메모리 동작원리로 적용하고 있다. 현재 플래시 메모리 소자 구조를 가지고 더욱 더 집적화를 하고자할 때 플로팅 게이트의 불균일한 폴리 실리콘 grain size 분포는 소자의 문턱전압 산포를 증가시키고, 10 V 이상의 높은 동작전압은 소자에서 발생하는 전력을 더욱 더 증가시켜 집적도의 기술적 한계가 16Giga 혹은 32Giga bit급으로 알려져 있다.
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