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[물리]반도체 기초 , 결정격자

저작시기 2007.01 |등록일 2007.03.26 파워포인트파일MS 파워포인트 (ppt) | 31페이지 | 가격 1,500원

소개글

반도체 : 일반적으로 금속과 절연체와의 중간 정도의 전기전도도를 갖는 일군의 물질을 말한다. 온도변화, 광학적 여기상태, 불순물 함량에 따라 전기전도도가 변화한다.

목차

반도체 재료
결정격자
반도체 결정의 성장
에피택셜 성장
Bohr의 모형
양자역학
원자구조와 주기율표

본문내용

반도체 재료
반도체 : 일반적으로 금속과 절연체와의 중간 정도의 전기전도도를 갖는 일군의 물질을 말한다. 온도변화, 광학적 여기상태, 불순물 함량에 따라 전기전도도가 변화한다.

원소(elemental)반도체 : 정류소자, 트랜지스터, 집적회로소자
화합물(compound)반도체 : 고속으로 빛을 방출 또는 흡수하는 데 필요한 전자소자에 이용
에너지 대역간극(energy band gap)
반도체를 도체 및 절연체로부터 구분할 수 있는 중요한 성질
반도체에서 흡수되거나 방출되는 빛의 파장을 결정
도핑(doping)
불순물 첨가의 조절과정
반도체의 전도도를 광범위하게 변화

결정격자
주기적 구조

격자(lattice) : 원자의 주기적인 배열
단위셀(unit cell) : 결정을 이루는 기본적인 체적
기본셀(primitive cell) : 되풀이시킬 수 있는 최소의 단위셀

입방격자

다이아몬드 격자구조
반도체 결정의 성장
시작재료
MGS (Metallurgical Grade Silicon)


액체 SiHCl3 형성 (부분증류법)


EGS (Electronic Grade Silicon)
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