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평가점수C

mosfet

저작시기 2007.01 |등록일 2007.03.26 파워포인트파일MS 파워포인트 (ppt) | 26페이지 | 가격 1,000원

소개글

고체전자 파트에서 나온 mosfet
그림과 알기 쉽게 설명 부분을 붙혔다.~

목차

출력 특성
전달 특성
단채널 MOSFET I-V 특성
문턱전압의 제어
기판 바이어스의 영향
문턱전압 이하 특성
MOSFET의 등가회로
드레인유기 장벽 감소
단채널효과와 협폭효과
게이트유기 드레인 누설

본문내용

채널에서 캐리어가 반도체-산화물 계면에 매우 근접하므로 표면거칠기와 게이트 산화물 내 고정전하에 의한 쿨롱 상호작용에 의해 산란된다.
이동도의 열화는 게이트 바이어스에 따라 증가한다. 높은 게이트 바이어스가 캐리어를 산화물-실리콘 계면에 가깝도록 이끌기 때문이다.
이온주입에 의한 문턱전압 조정
문턱전압을 제어하는 데 가장 유익한 도구는 이온주입이다.
매우 정확한 양의 도핑을 할 수 있으므로 VT를 정밀하게 제어할 수 있다.
얕은 VT 조절용의 이온주입에서 요구되는 주입에너지는 낮으며(50~100 keV) 비교적 적은 투여량이 필요하다

..
문턱전압은 MOS 트랜지스터를 전도상태 또는 차단상태로 전환시키는 요건을 결정하므로 소자를 설계하는 데 있어서 VT를 조절할 수 있게 하는 것이 매우 중요하다.


Φms : 게이트 도체물질을 선택함으로 결정
ΦF : 기판 도핑에 의존
Qi : 적절한 산화방법과 (100) 결정방향으로 성장시킨 Si를 이용
Qd : 기판의 도핑으로 조절
Ci : 절연체의 두께와 유전율에 의존
게이트 전극의 선택
Al : 게이트형성 후 소스/드레인 이온 주입시 고온에서 어닐링이 요구되나 Al이 낮은 녹는점을 가지기 때문에 자기정렬 기술이 사용 불가능
고농도로 도핑된 다결정 실리콘 사용

참고 자료

없음
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