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[공학]CMP 동작순서, 종류, 연마특성, 금속막 두께 측정 방법

저작시기 2006.12 |등록일 2007.03.13 한글파일한컴오피스 (hwp) | 3페이지 | 가격 700원

소개글

CMP 동작순서, 종류, 연마특성, 금속막 두께 측정 방법

목차

1. CMP(Chemical Mechanical Polishing)
2. 금속막 두께 측정 방법

본문내용

1. CMP(Chemical Mechanical Polishing)
평탄화란 단순히 가공면이나 박막표면의 평면도를 향상시키는 것이 이외에 표면의 도출부를 선택적으로 제거하는 것과 동시에 이종 재료를 균일하게 제거하는 것등의 개념이 포함되며, 최근에는 반도체 디바이스를 고밀도화, 미세화 및 배서구조의 다층화에 따른 단차 증가를 평탄화하는 것이 필수이다.
CMP(Chemical Mechanical Polishing)란 반도체 공정 중 웨이퍼 표면의 비평탄화 영역을 평탄하게 만드는 공정이다. 반도체 공정이 미세화되고 chip 크기가 작아짐에 따라 적층 구조를 이루게 됨으로서 평탄화 공정은 뒤이은 photolithogr aphy 와 film deposition의 공정의 정확도를 위해 그 중요성이 더욱 커지고 있다. 이러한 CMP 공정은 산 또는 염기성 용액에 의한 화학적 식각과 함께 입자에 의한 기계적 연마의 작용을 동시에 가지게 된다. CMP 공정 구성은 웨이퍼가 장착되는 "head“와 같은 방향으로 회전하는 “pad” 그리고 그 사이에 나노 크기의 연마입자등이 포함된 “slurry” 가 있다.

․ CMP 동작순서
1. Polisher에서 Carrier가 Wafer의 뒷면을 Vacuum으로 잡고 일정한 압력과 속력으로 회전
2. Wafer 앞면과 Pad사이 Slurry가 흐르며 Slurry와 Carrier의 회전 및 압력으로 막 식각
3. 식각이 완료된 Wafer를 Post Cleaner에서 이물질을 제거

․ CMP의 종류
<ILD 층각절연막 CMP>
하부 패턴의 형상을 따라 증착 양상이 달라져 단차(Step Height)가 형성되며, 이렇게 발생된 단차를 제거하지 않고 후속 배선 공정을 진행할 경우, 노광의 한계를 가져오게 되는 것을 방지하기 위해, 각 층을 절연한 후 웨이퍼 전면에 걸친 평탄화 공정
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