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JFET 전압 전류특성

저작시기 2007.01 |등록일 2007.03.10 한글파일한컴오피스 (hwp) | 3페이지 | 가격 1,000원

소개글

JFET 전압 전류특성

목차

◎ 개요
◎ JFET의 구조와 특성
◎ 전달특성

본문내용

◎ JFET의 구조와 특성
- Reverse biased PN junction에서 주어진 전기장에 대하여 (+)/(-)전하가 노출되
어야하므로 reverse bias가 증가할수록 depletion region이 증가한다.

○ JFET
- N형 채널에서 전자가 오른쪽에서 왼쪽으로 drift하며 전류는 그 반대 방향으
로 흐른다.
- 전자가 흘러들어 오는 곳을 source, 전자가 흘러나가는 곳을 drain, P지역을
gate라 한다.
- Reverse bias는 drain에서 상대적으로 크고 source에 갈수로 0으로 감소한다.
따라서 공핍층은 source보다 drain쪽에서 channel을 더 많이 침범한다.
- VD가 증가하면 drain근처의 channel이 공핍층에 의하여 더욱 좁아져서 channel
의 저항이 증가한다. VD가 더욱 증가하면 두 공핍층이 맞닿게 되며, 이 현상
을 Pinch Off라 부른다. 또한, 그 때의 VDS를 VP라 부른다. 그 후에는 VD가
아무리 증가해도 ID전류가 더 이상 증가할 수 없게 되어 포화상태에 이른다.
- VG에 음의 전압을 인가하면 depletion region이 더욱 증가하여 channel의 저항
이 더욱 증가되므로, 더 낮은 전압에서 Pinch-Off현상을 유도한다. 결국,
Reverse biased PN junction의 depletion width를 gate voltage로 조절함으로써
전류를 제어한다.

참고 자료

없음
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