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반도체공정기술

저작시기 2007.01 |등록일 2007.03.02 파워포인트파일MS 파워포인트 (ppt) | 19페이지 | 가격 3,000원

소개글

반도체공정기술

목차

Oxidation
Photolithography
Etching
Ion Implantation
CVD (Chemical Vapor Deposition )
Metallization
반도체 제조 공정 순서
패 턴 공 정

본문내용

Oxidation
실리콘 표면 위에 산화막(SiO2) 층을 형성하기 위한 공정
Dry Oxidation
고온의 퍼니스(furnace) 내로 O2가스를 공급하여 실리콘을 산화시킴.
공급가스 : N2 (purge gas), O2
막의 형성속도가 느리지만, 양질의 산화막을 얻을 수 있다.
Wet Oxidation
고온의 퍼니스(furnace) 내로 초순수 (DI water) 수증기를 공급하여 실리콘을 산화시킴.
공급가스 : N2 (purge gas), O2
막의 형성속도가 빠름.

참고 자료

없음

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