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반도체 제조 공정

저작시기 2004.12 |등록일 2007.01.03 파워포인트파일MS 파워포인트 (ppt) | 29페이지 | 가격 500원

소개글

전체적인 반도체의 제조 공정과 photo resist 도포공정은 좀더
자세히 나타나 있는 파워포인트 발표 자료입니다.

목차

1. 단결정성장
2. 규소봉 절단
3. 웨이퍼 표면 연마
4. 회로 설계
5. 마스크 제작
6. 산화(Oxidation)공정
7. 감광액(PR) 도포
-PR coating의 목적
-Photoresist 란?
-Photoresist의 구성
-패턴의 극성에 따른 PR의 종류
-Positive PR
-Negative PR
8. 노광(Exposure)공정
9. 현상(Development)공정
10. 식각(Etching)공정
11. 이온주입(Ion Implantation)공정
12. 화학 기상 증착 (CVD)
13. 금속 배선 (Metal Deposition)
14. 웨이퍼 자동선별 (EDS Test)
15. 웨이퍼 절단 (Sawing)
16. 칩 집착(Die Bonding)
17. 금속연결(Wire Bonding)
18. 성형(Molding)
19. 최 종 검 사 (Final Test)

본문내용

10. 식각(Etching)공정
회로패턴을 형성시켜 주기 위해 화학물질이나 반응성 가스를
사용하여 필요없는 부분을 선택적으로 제거시키는 공정

11. 이온주입(Ion Implantation)공정
회로패턴과 연결된 부분에 불순물을 미세한 가스입자 형태로 가속,
웨이퍼의 내부에 침투시킴,전자소자의 특성을 만들어 줌.

12. 화학 기상 증착 (CVD)
반응가스간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼표면에
증착하여 절연막이나 전도성막을 형성시키는 공정
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