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[공학]기초 반도체 공정

저작시기 2006.12 |등록일 2006.12.30 파워포인트파일MS 파워포인트 (ppt) | 161페이지 | 가격 1,500원

소개글

반도체 공정에 대한 모든 것들을 파워포인트로 담았습니다.~~

목차

반도체 재료, 특성, 구조
결정 구조
섬아연광 격자 구조와 격자에서 이웃한 원자들의 사면체구조
결정 성장
반도체 공정
웨이퍼 제조
진성 반도체
산화공정
열산화공정
Two Main Oxidation Processes
산화 과정
산화 모델링
산화 모델링
oxidation rate에 영향을 주는 factors
결정성의 영향
산화시의 불순물 재분배
MASKING PROPERTIES OF SILICON DIOXIDE
산화의 기술
산화물의 품질
선택적 산화
트렌치 아이솔레이션
화학적 기계적 폴리싱(CMP)
산화물 두께의 특성
확산공정
확산공정
Mathmatical Model for Diffusion
고정 소스 확산
제한 소스 확산
Two-Step Diffusion
The Diffusion Coefficient
Successive Diffusions
Solid-Solubility limits
Vertical Diffusion and Junction Formation
Lateral Diffusion(수평확산)
농도 의존적 확산
시트 저항
Junction-Depth Measurement
Jucnction- Depth Measurement
확산 시뮬레이션
확산 시스템
Gettering
이 온 주 입
Ion Source
Analyzer
Characteristics and applications
CHANNELING
LATTICE DAMAGE, AND ANNEALING
Damage
Annealing
Chemical Vapor Deposition
CVD equipment
Atomospheric CVD(APCVD)
LOW PRESSURE CVD(LPCVD)
PLASMA ENHANCDE CVD(PECVD)
벌크 마이크로머시닝
실리콘 식각 용매
표면 마이크로머시닝
습식 식각의 문제점
고배율 마이크로머시닝
실리콘 웨이퍼 접합
plasma
RF Discharge
magnetically enhanced and ECR plasmas
반도체 공정
패키징(Packaging)이란…
Packaging 제조 공정

본문내용

산화막형성은 실리콘 집적 회로 제작에서 가장 기본적이며 자주 사용되는 공정
T < 200 ℃ : anodization : ethylene glycol + KNO3 vacuum deposition : SiO2 , Si + O2 sputtering : 용융석영이 음극표적재료로 사용 plasma deposition
250 ℃ < T < 600 ℃ : SiH4
~400 ℃ SiO2 for passivation
doped SiO2 by B2H6 , PH3
600 ℃ < T < 900 ℃ :TEOS (tetra-ethylorthosilicate) SiH4 or SiCl4+CO2
900 ℃ < T < 1200 ℃ : thermal oxidation
dry and wet, or Cl incorporated oxidation

산화의 기술
노의 벽은 산화하는 동안 나트륨의 오염을 막기 위해 석영, 다결정질 실리콘 또는 실리콘 카바이드로 만들어진다.

산화물 두께의 특성
산화물의 두께를 결정하는 가장 간단한 방법 –산화막의 두께를 알고싶은 웨이퍼의 색깔을 비교하여 결정하는 것
Wafer에 수직인 위치에서 색깔을 결정해야 한다!

Wafer Exposure Systems

E-beam

X-ray Lithography

스퍼터링

등등 반도체 공정에 대한 모든것을 기록
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