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트랜지스터 종류 및 동작원리

저작시기 2006.12 |등록일 2006.12.25 한글파일한글 (hwp) | 6페이지 | 가격 1,000원

소개글

transistor 종류 및 동작원리
Nano 반도체 소자 및 응용

목차

1. 트랜지스터의 종류 및 동작원리
➀ BJT
➁ FET - ❶ JFET
- ❷ 공핍형MOSFET
- ❸ 증가형MOSFET
➂ IGBT
➃ UJT
➄ PUT

2. Nano 반도체 소자 및 응용

3. 참고문헌 및 Website

본문내용

♴ FET (Field Effect Transistor) - 단극성(전계효과)트랜지스터
: 많은 전력 전자 응용분야에 쌍극성 트랜지스터가 사용되고 있으나 고속 스위칭을 필요로 하는 응용 분야에는 단극성 트랜지스터를 사용하는 것이 보다 효과적인 응용 분야가 있다.

❶ JFET (Junction Field-Effect Transistor)
: 채널의 케리어가 소스에서 드레인으로 흐를 수 있도록 전원 V를 공급하고 게이트-소스 간은 역바이어스를 공급한다. 역바이어스 전압을 변화시키면 공핍층의 폭이 변화되므로 전류가 흐를 수 있는 통로가 되는 채널 폭이 변화되어 전류가 채널 폭의 넓이에 따라 변화하게 된다. 게이트란 단자 이름도 채널폭을 조절하여 전류 흐름의 통로를 조절하는 대문 같은 기능을 한다는 의미에서 붙여진 이름이다.
채널 폭은 드레인쪽에 가까울수록 더 좁아진다. 이유는 드래인쪽에 가까울수록 채널의 저항이 커지므로 전압이 많이 걸리게 되어 게이트-채널간의 역바이어스가 드레인쪽에 가까울수록 커지게 되므로 공핍층이 넓어지기 때문이다.
JFET는 입력전압을 변화시켜 출력전류를 제어하는 소자이며 입력전류가 없다는 것을 의미한다. 트랜지스터와의 차이점이다.

참고 자료

전자회로의 기초 - 도서출판 포인트 (김인태, 이응철, 이주석, 한수용, 정승렬 공저)
스위칭 전자회로 실무 - 북스힐 (공학박사 김광태 저)
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