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반도체 Packaging의 신뢰성문제, Bilayer passivation in DRAM device (PPT자료)

저작시기 2006.01 |등록일 2006.12.22 | 최종수정일 2017.11.04 파워포인트파일MS 파워포인트 (ppt) | 12페이지 | 가격 2,000원

소개글

세미나 발표시간에 했던 자료 입니다.
주제는 반도체 패키지상에서 발생가능한 신뢰성 문제에 대한 논문에 대한 발표를 PPT로 정리해 놓은 것입니다. 다른 신뢰성 문제에 대한 부분은 많이 가지고 있지만, Passivation에 대한 자료는 없었는데 오랜시간 걸려서 논문을 찾고, 만든 자료입니다. 유용하게 사용하세요..

목차

Introduction
Experiments
Result and Discussion
Conclusion

본문내용

<The Effect of Modifying the Bilayer Passivation
Structure Reliability in DRAM Device>

1.메모리 용량의 증가에 따른 회로의 복잡성, Topology의 악화
- Device의 신뢰성 높이기 위한 Stress migration 해결 중요성 증가

2.기존 연구
-Passivation의 두께 조절으로 금속 배선의 전기적 성능에
직접적 영향만을 언급
3. Device의 전기적 성능의 영향 인자인 Passivation 두께의 구체적 수치
4. Migration demage 최소화를 위한 적절한 Passivation 구조를 제시

참고 자료

Journal of electrical engineering and information science Vol.3. No.4 1998 P.527~530
-The effect of Modifying the Bilayer Passivation
Structure Reliability in DRAM Device
written by Seong-Min Lee prof.

Stress-related Reliability Problems of Passivation-layer Materials in DRAM device
written by Seong-Min Lee prof.
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