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[공학]반도체 박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거

저작시기 2006.01 |등록일 2006.12.15 한글파일한글 (hwp) | 10페이지 | 가격 700원

소개글

박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거 실험예비보고서 입니다.
성심껏 작성했어요^^

목차

■ 실험 제목
■ 실험 목적
■ 실험 내용
■ 실험 절차
■ 실험 이론
▶ 플라즈마의 정의와 이용분야
▶ Lithography의 정의와 과정
▶ 반도체의 정의와 반도체 제조 공정
▶ 식각(etching)의 정의와 종류
▶ 최근 각광받고 있는 메모리 소자의 원리와 구조

본문내용

■ 실험 제목
- 박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거


■ 실험 목적
- 여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세 가지 공정으로 나눠 지는데 첫째로 증착공정 둘째로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공정으로 나눠진다. 이러한 공정 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이다. 본 실험에서는 마스크에 의하여 형성된 패턴을 증착된 박막위로 전달하는 식각공정에 대하여 이해하고 그에 따른 박막의 표면과 두께의 변화 등에 대하여 고찰하고자 한다.


■ 실험 내용
- 가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온 식각장치(reactive ion etcher; RIE)를 이용하여 식각한다. 식각 전후의 산화막의 색깔 변화를 관찰하여 식각 여부를 확인하고 식각에 의하여 형성된 패턴의 모양을 관찰한다.


■ 실험 절차
(1) 산화막(SiO2)의 패터닝(patterning) - Lithography 공정 (조교가 수행)
(2) 패턴된 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용
(3) 패턴된 산화막을 반응성 이온 식각장치를 사용하여 적절한 식각가스와 power를 선택 하여 식각 실험을 진행한다.
(4) 식각된 산화막의 표면의 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용
(5) 마스크 패턴의 제거 (O2 plasma ashing) - 플라즈마 ashing 장치를 이용하여 산소 플라즈마를 발생시켜서 적절한 조건에서 마스크 패턴을 제거한다.
(6) 마스크 패턴을 제거한 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용

참고 자료

▶ http://invent.patyellow.com/in_story/view.asp?num=208&page=20&part=&searchkey=
(특허 포탈)
▶ 2005 미래유망 사업화아이텀 이슈분석/ 차세대메모리(비휘발성 메모리 동향 및 가능성)/ 김기일, 홍성화, 류상욱/ 한국과학기술정보연구원
▶ naver 백과사전
▶ http://ksia.or.kr/new_korean/ (한국반도체산업협회)
▶ http://myhome.naver.com/bluelogic/
▶ http://www.semipark.co.kr/images/반도체장비/반도체%20입문/반도체%20기초이론/반도체이야기%201.htm
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