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[반도체공학]바이어스상태PN접합6

저작시기 2006.04 |등록일 2006.12.13 한글파일한글 (hwp) | 8페이지 | 가격 1,000원

소개글

★호서대학교 반도체공학 두학기 모두 A+ 레포트입니다★

목차

1. 바이어스(Bias)상태의 P-N 접합
1) 바이어스(Bias)상태의 P-N 접합
2) 외부에서 전원을 가했을 때 공핍층의 폭

2. 전하주입과 전류
1) 바이어스를 인가하지 않았을 때 관계식
2) Level ․
3) 순방향 Bias(Forward Bias)평형 상태 때 관계식
4) low - level injection
5) 공핍층 구역 밖의 소수 캐리어 농도
6) 확산전류
7) 전 전류

본문내용

1. 바이어스(Bias)상태의 P-N 접합

1) 바이어스(Bias)상태의 P-N 접합
① 순방향 Bias(Forward Bias ; ) - 안쪽으로 캐리어를 밀어냄
② 순방향 Bias(Forward Bias)때 전위차()
※ Hole이 넘어가려면 장벽이 낮아야 한다.
※ 순방향 Bias(Forward Bias)를 걸어주는 것은 장벽을 낮춰주는 것이다.
③ 역방향 Bias(Reverse Bias ; )
④ 역방향 Bias(Reverse Bias)때 전위차()
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