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CVD ( chemical vapor deposition ) 법,섬들의 성장과 합체,에피탁시얼막 ,스퍼터링

저작시기 2006.01 |등록일 2006.12.09 한글파일한글 (hwp) | 3페이지 | 가격 300원

소개글

CVD ( chemical vapor deposition ) 법,섬들의 성장과 합체,에피탁시얼막 ,스퍼터링

목차

1. CVD ( chemical vapor deposition ) 법
2. 섬들의 성장과 합체
3. 에피탁시얼막
4. 스퍼터링

본문내용

1. CVD ( chemical vapor deposition ) 법

(1) 고순도의 박막 단결정막을 만드는데 사용
(2) 단종에피탁시 : 기판위에 같은 종류의 막 ( Si기판위에 Si막 )을 만드는 경우
이종에피탁시 : 다른 물질의 기판에 다른 종류의 막을 만드는 경우로서 이들을 수행하는 과정에서 여러 가지 화학반응이 적용된다.
(3) 막이 형성되는 매커니즘은
* 열분해로 고온에서 화합물이 분해되어 그 중 하나를 기판에 생기도록 한 것
* 광분해로 기체상태의 화합물을 적외선이나 자외선으로 분해시키는 것


2. 섬들의 성장과 합체

: 성장은 주로 흡착된 원자의 표면확산에 의해 발생되고, 이미 존재하는 핵자의 표면에 접착함으로써 이루어 진다.

(1) Ostwald 완숙
다른 반지름의 작은 입자 위에 증기압의 차이 때문에 큰 핵자는 작은 핵자를 소모하면서 작은 핵자가 완전히 사라질 때까지 성장한다.
(2) 섬들의 이동도에 기인된 합체
핵자가 적으면 적을수록 큰 것보다 더 이동도가 크게 된다.
(3) 성장에 의한 합체
두 성장하는 입자가 서로 닿는다면, 그들은 기판온도와 표면E에 의존하 면서 그들의 모양을 거의 완전하게 유지
⟶ 결합, 높은 온도에서 액체와 같은 행동을 하며 한 개의 덩어리로 합체
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