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트랜지스터의 기초

저작시기 2006.10 |등록일 2006.11.15 한글파일한컴오피스 (hwp) | 7페이지 | 가격 500원

목차

실험목적
실험 이론
①트랜지스터 구조
②트랜지스터의 역할 및 기본동작
실험결과
검토 및 고찰

본문내용

실험목적
(1) 트랜지스터의 베이스(base), 에미터(emitter), 콜렉터(collector)를 식별하고
그 기호를 익힌다
(2) 트랜지스터의 바이어스 방법에 대해서 알아본다.

실험 이론
①트랜지스터 구조
트랜지스터는 두 개의 n형층과 한 개의 p형층, 또는 두 개의 p형층과 한 개의 n형층으로 이루어진 3층 반도체 디바이스로서 전자를 n-p-n형, 후자를 p-n-p형 트랜지스터라 한다.
그림1의 트랜지스터 구조에서 보는 것처럼 트랜재ㅣ스터의 가운데 층인 베이스B(base)는 트랜지스터 전제 두께의 대략 150분의 1정도로 매우 얇고(0.02mm정도) 도우핑 정도도 양 외각층보다 10분의 1또는 그 이하가 될 정도로 낮다

그림 1 트랜지스터의 구조와 직류 바이어스
그림 2 전기적 심볼
양 외각층에 대한 E, C 표시는 각각 emiter, collector를 의미하며 베이스 및 콜랙터쪽으로의 확산이 보다 잘이루어지도록 도우핑 농도를 보다 크게 한 쪽이 에미터가 된다
즉 다수캐리어를 보다 많이 가지고 있어서 다수 태리어의 공급원(source)이 되는 곳이 에미터, 이들 캐리어를 받아들이는 곳이 콜랙터가 된다
베이스 층의 두께가 양 외각층에 비해 매우 얇은 것은 에미터로부터의 다수 캐리어가 베이스 층을 통과하여 콜렉터 층으로 보다 쉽게 유입되도록 하기 위함이며, 또 베이스층의 도우핑 농도가 양 외각층에 비해 낮은 것은 베이스층의 다수캐리어의 수를 제한 함으로써 베이스층의 도전성을 감소(저항은 증가)시키기위한 것이다.
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