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STRAIN GAGE, DC-AMPLIFIER & LOAD CELLS, TRANSISTOR, PHOTO-TRANSISTOR

저작시기 2006.11 |등록일 2006.11.12 한글파일한컴오피스 (hwp) | 11페이지 | 가격 1,500원

소개글

1) STRAIN GAGE를 이용하여 Strain을 측정하여 Stress 계산하고 E(Modul of Elasticity)를 결정하 는 것을 이해한다.
2) Load Cell과 DC-Amplifier를 이용하여 Load를 mV로 mV를 Volt로 증폭하여 나오는 것을 이해한 다.
3) TRANSISTOR를 이용하여 μAmp가 mAmp로 나오는 것을 이해한다.
4) PHOTO-TRANSISTOR에서 조도가 mAmp로 나오는 것을 이해한다.

목차

1. 제 목
2. 서 론
3. 요 약 문
4. 실험 계획서
5. 이론 및 분석
6. 실험장비는 실험도구
7. 데이터
8. 결론

본문내용

(1) Strain Gage
변율(Strain)을 측정하려는 최초의 시도는 시험물체의 길이 변화를 측정하는 Extensometer라 불리우는 기계적인 기기를 사용하였다. 측정된 길이변화를 전체길이로 나누어서 단위변율을 계산하였다.
이 계산치는 평형변율이었다. 그러나 국부적인 변율은 평균 변율보다 크다.
예를 들면 평균응력 35MN/M^2 을 받는 엔진의 Connecting Rod에서는 최대국부 응력이 700MN/m^2
이다. 그래서 측정의 의미를 이해하고 올바른 실험치에 기초를 둔 설계가 요구된다. 최신의 Strain Gage는 아주 작은 면적의 변율을 측정할 수 있게 기술자들이 많이 사용하는 아주 유용한 것이다.

1) 변형도측정
변형도는 직접 또는 간접적으로 감지된다. 전기저항 스트레인 게이지는 선천적으로 변형도에 민감하 다. 즉 그것들의 단위저항변위가 그들의 단위치수 변화에 직접 비례한다.그러나 약 1930년까지 보통의 시험적 방법은 초기게이지 길이 L을 넘는 변형길이 DELTAL을 측정하고, 그 다음에
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