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반도체 제조 공정

저작시기 2005.10 |등록일 2006.10.31 파워포인트파일MS 파워포인트 (ppt) | 19페이지 | 가격 1,500원

소개글

반도체 제조 공정

목차

반도체 제조 공정의 역사
현재 반도체 제조공정 수준
반도체 제작 공정

본문내용

현재 반도체 제조공정 수준

삼성 : 4G DRAM (5억 자:신문 약 3만 2천 페이지 ) 0.13㎛ 제조공정

인텔 : 프로세서 코퍼마인
0.18 ㎛ 제조공정(집적된 소자수 2000만개이상)
- 총 6층의 알루미늄-금속 접합과 저 SiOF(불소가 도핑된 SiO) 정전 접합 절연물질을 사용하며 동작 전력을 1.1v 에서 1.65v 정도로 낮출 수 있는데, 현재 개발된 제품의 최저 전압은 1.35v 로 알려져 있다.
0.13 ㎛ : 최소선폭

칩의 정밀화
소비 전력이 감소
다이 사이즈가 소형화 : 원가 절감.

반도체 제작 공정

1단계 단결정 성장
고순도로 정제된 실리콘 용융액에 SEED 결정을 접촉, 회전시키면서 단결정규소봉(INGOT)을 성장시킴
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