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[결과]8.BJT의 h-parameter 실험에 관한 결과 보고서

저작시기 2006.01 |등록일 2006.10.29 한글파일한컴오피스 (hwp) | 6페이지 | 가격 1,000원

소개글

중앙대학교 2학년 2학기 전자전기실험(2) 레포트입니다.

실험결과에 실험사진과 pspice 의 결과값을 모두 첨부하여 더욱 정확한 레포트가 가능하도록 하습니다.

본문내용

이번 실험은 CE 특성곡선으로부터 얻을 수 있는 h-parameter에 대해 알아보고, 그것을 실험을 통해서 직접 구해보는 실험이다. 먼저 아래의 회로를 구성한다. hie와 hfe를 구하기 위해서는 vCE를 일정하게 유지해야 하므로 가변주파수 전압원을 제거한 상태에서 VEX를 조절하여 VRE를 약 4V로 만들어서 vCE를 일정하게 한다. 그후에 가변주파수 전압원을 연결하여 vBE가 찌그러지지 않도록 가변주파수 전압원의 크기를 최대로 한 후 vbem, Rtibm, RCicm을 측정하고 그 결과를 토대로 hie와 hfe를 계산한 결과는 다음과 같다.


< CE BJT 회로의 , 측정실험 회로도>

1. 저항 양단에 걸리는 전압이 4V가 되도록 하기 위해서 를 조절하여 양단의 전압을 4V를 만들어야 하는데 이상하게도 가변저항을 연결하니 회로가 OPEN된 상태가 되었다. 할수 없이 DC Supply에서 입력전압을 조절하여 4.5V를 맞추니 양단에 걸리는 전압이 4V가 되었다.
양단에 걸리는 전압 : 4V
2. OSC에서 에 찌그러짐이 생기지 않는 범위에서 가변주파수 전압원 의 크기를
최대로 하였을 때는 0.7V 였고, = 0.3V 였다. 같은 조건으로 simulation 했을 때 = 0.824V 이다.


3. 다음에 probe를 옮겨 () 값을 측정하였다. 측정값은 3V 였다.
같은 조건으로 simulation 했을 때 0.068V이다. 여기서 큰 오차가 발생하였는데 이전의 실험에서의 값이 잘못되어서, 이번 실험에서 더 큰 오차를 낳았다고 생각한다. (사실 .
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