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[공학]MOS 성형 과정에서 spike, hillock 발생

저작시기 2006.01 |등록일 2006.10.27 | 최종수정일 2015.02.04 한글파일한컴오피스 (hwp) | 5페이지 | 가격 500원

소개글

MOS 성형 과정에서 spike, hillock 발생

▲ Junction Spike ▲ Electromigration ▲ Hot Carrior Effect ▲ LDD

목차

▲ Junction Spike
▲ Electromigration
▲ Hot Carrior Effect
▲ LDD

본문내용

소자의 크기가 축소됨에 따라 고속도, 고집적 VLSI를 구현하기 위한 연구가 활발하게 진행되고 있다. Short Channel 효과를 피하면서 더 짧은 채널길이의 소자를 유지하기 위해서는 벌크 도핑농도를 증가시켜야 하는데, 이로 인해 게이트 산화막의 두께도 줄어들어야 한다. 감소된 채널길이와 게이트 산화막 두께 그리고 상응하는 벌크 도핑 농도의 증가로 인한 복합된 효과는 Hot-Carrier의 발생과 주입을 더 증가시키게 된다.
표면이 반전되어 채널이 형성되고 드레인에 전압이 인가되면 캐리어는 소스로부터 드레인까지 가속되어 이동한다. 가속된 캐리어중 일부는 충분한 에너지를 얻어 드레인 가장자리에 도달하기 전에 실리콘과 산화막 계면 전위 장벽을 극복하게 되는데 이 캐리어를 CHC(Channel Hot Carrier)라고 부른다. 채널 캐리어중 일부는 포화동작 동안 핀치 오프 영역에서 격자와 충돌하고 충돌 이온화에 의해 EHP를 발생시킨다. 충돌 이온화로 발생한 캐리어중 일부는 높은 에너지를 가지고 있어 실리콘과 산화막 계면 전위 장벽을 극복하게 된다. 이들 캐리어를 DAHC(Drain Avalanch Hot Carrier)라고 한다. 두가지 Hot Carrier는 게이트 산화막을 가로질러 캐리어 흐름의 형태로 결합되며 이들 중 대부분은 게이트 산화막을 통해 가속화 되고 게이트 전류로서 측정된다. 그러나 이들 캐리어중 일부는 게이트 산화막에서 포획되고 소자 성능 저하의 원인이 된다. 이것을 Hot Carrier Effect라고 한다.
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