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지너다이오드 특성과 응용 결과 리포트

저작시기 2005.05 |등록일 2006.09.19 한글파일한글 (hwp) | 6페이지 | 가격 900원

소개글

지너다이오드의 특성 및 응용 실험의 결과 리포트 입니다.

결과 분석에 대한 그래프나 분석 등 있구요... A+ 맞은 겁니다.

목차

1. 실험 목적
2. 이 론
3. 실험 결과
< 결론 >

본문내용

1. 실험 목적<br /><br />
- 지너다이오드의 특성과 동작원리를 이해하고, 정류전원, 이환발진기, 영점조절전 압계 등의 예를 통하여 그 응용에 대해 알아본다.<br /><br />
<br /><br />
2. 이 론<br /><br />
(1) 항복현상 <br /><br />
1) 항복현상이란?<br /><br />
- 다이오드에 역방향바이어스를 걸어줄때 어느 수준 이상을 넘어가면 역방향전류가 급<br /><br />
격히 증가하게 되는데 이것을 항복현상이라 한다. <br /><br />
2) 원인 <br /><br />
i) 접합부의 도핑이 조금만 되어 있을 경우 - 사태(avalanche)항복현상<br /><br />
- 역방향바이어스전압이 커지면 => 공핍영역 안의 전계 상승 =>공핍영역 안을 지나<br /><br />
는 반송자의 에너지 증가 => 고 에너지 반송자들이 공핍영역 안의 격자(lattice) 와 충돌 => 격자내의 공유전자쌍을 들뜨게하여 전도대로 올려보내는 현상 반복<br /><br />
=> 항복현상 발생 <br /><br />
ii) 도핑이 많이 되어 공핍영역이 좁은 다이오드 - 지너항복(Zener breakdown)<br /><br />
- 역방향 바이어스가 증가 => p영역 전자의 위치에너지가 n영역의 전도대의 위치<br /><br />
에너지보다 커지게 됨 => p영역 가전자대의 전자들이 좁은 공핍영역을 통과하여<br /><br />
n영역 전도대로 쏟아져 들어오게 됨 => 항복현상
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