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평가점수A

직렬,병렬 다이오드 회로

저작시기 2006.03 |등록일 2006.09.16 워드파일MS 워드 (doc) | 4페이지 | 가격 1,500원

소개글

직렬 및 병렬로 구성된 다이오드 회로의 해석 능력을 개발한다.

목차

문턱전압이란?
전압강하란?
다이오드의 직렬구성
AND게이트
정논리란?
브릿지 회로란?

본문내용

* 문턱전압 이란?
P형 반도체는 +, 즉 정공이 많은 반도체이지만, 물체의 극성으로 따지자면, 중성이다. 한마디로 내부 분자결합구조가 전자가 결합되기 쉬운 상태이다.
N형 반도체는 -, 즉 전자가 많은 반도체이다. 물체의 극성으로 따지자면, 이 역시도 중성이다. 한마디로 내부 분자결합 구조가 전자가 탈출하기 쉬운 상태이다.
접합다이오드의 접합 부분에 p형 반도체에는 -형이, n형 반도체에는 +형의 성분이 생겨, p형 반도체에서 빠지기 쉬운 전자가 이 접합 부분을 통과하지 못하게 된다.
이 부분을 공핍 영역이라 하는데, 여기에 생긴 전위차를 문턱전압이라고 한다.



* 전압강하
전기회로를 간단히 그리면 왼쪽의 회로와 같은데 회로에 전류가 흘러 저항을 통과하면 저항에는 옴의 법칙에 따라 전압이 생긴다. 이때, 저항에 생기는 전압을 전압강하라 한다. 저항에 생기는 전압은 V=I R[V]로 구한다.
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