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[전자재료]텅스텐(W)과 구리(Cu)의 비저항 및 MEMS

저작시기 2006.01 |등록일 2006.09.14 한글파일한글 (hwp) | 2페이지 | 가격 1,000원

소개글

텅스텐(W)과 구리(Cu)의 비저항값과 그에 따른 CMP재료로의 사용이유를 설명,
MEMS의 설명,개요,기술동향,재료,설계기술,시사점등을 요약한 리포트

목차

1) 개요
2) 기술 동향
3) MEMS 설계 기술과 도구

본문내용

☞ W(텅스텐)과 Cu(구리)의 비저항
텅스텐 = 3.5×10⁻⁸ Ω∙m at 20℃
구리 = 1.72×10⁻⁸ Ω∙m
텅스텐과 구리의 경우 다른 금속들보다 비저항값이 매우 낮아 전기를 잘 통하게 한다(전기의 흐름이 원활하다). 따라서 CMP공정에서 metal로서 텅스텐과 구리를 사용하게 되면 알루미늄이나 기존의 metal 재료보다 전자의 과집적을 막아 발열로 인한 단선이 줄어들게 된다.
결과적으로 수명이나 효율적인 측면에서 봤을 때 W과 Cu를 많이 사용한다. 이 외에도 비저항값이 낮은 금속들( ex)Au,Ag )이 있지만, 비용상 W과 Cu를 사용하는 것이 경제적이다.


☞ MEMS란 Micro Electro Mechanical System 이란 단어의 약자로서 `마이크로 전자기계 시스템`이다. 이 기술은 말 그대로 전자기계 소자를 육안으로는 보이지 않을 정도로 작은 마이크로 규모로 제작하는 기술을 일컫는다. MEMS 기술은 개략적으로 정의하면 아주 작은 기계 구조물을 제작하는 모든 분야에 응용되는 것이라고 할 수 있다.
MEMS 기술은 기존의 반도체 공정, 특히 집적회로 기술을 응용한 미세 가공 기술을 이용한다. 미세 가공 기술을 마이크로 단위의 초소형 센서나 구동기 및 전기 기계적 구조물을 제작하는데 응용하고 있는 것이다. 미세 가공 기술로 제작된 미세 기계는 ㎜이하의 크기거나 ㎛ 이하의 정밀도를 구현할 수 있다.
이런 MEMS 기술은 1970년대에 출현해서 당시 반도체 제작 기술로 주변회로를 내장한 집적화된 센서를 개발하기 시작했다. 1980년대 초반에는 스프링, 외팔보(수영장의 스프링보드 같은 구조) 등의 미세한 기계요소들이 제작됐다. 1980년대 후반에는 마이크로 집게, 모터, 기어 등 기판에서 분리된 미세 구조물이 제작됐으며, 1990년대 이르러서는 센서, 논리회로 및, 구동기가 집적된 형태로 발전됐다.

참고 자료

반도체공정개론
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