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[공학]중첩의 원리및 테브난 등가회로

저작시기 2006.04 |등록일 2006.09.13 한글파일한글 (hwp) | 5페이지 | 가격 1,000원

소개글

중첩의 원리 및 테브난 등가회로 회로이론 실험 레포트

목차

1 중첩의 원리
2 테브난의 등가회로

본문내용

실험 1. 그림 1의 회로에서 R = 20 kΩ 이고, V(t)는 진폭이 1 V이고 주 파수가 1000Hz인 사인파이다. 즉, V(t) = 1 sin 2π 1000t 볼트이 다. V를 1 V로 조정한 후, 출력 전압 V(t)를 오실로스코프로 측 정하라. V(t)의 사인파가 직류 1 V만큼 레벨 시프트되어 있는지

♱ 고 찰

중첩의 원리를 이용한 실험 중 직류 전원과 교류 전압이 있는 회로도에서 직류 전원을 1 V로 교류 전압을 1 sin 2π 1000t 잡았을 때 전원을 따로 분리하여 직류 전원 1 V를 교류전원을 단락 시킨 후 측정한 직류 전원을 단락 시켰을 때 값을 측정한다. 이런 방식으로 전압의 출력값을 알 수 있다. 이러한 방식을 중첩의 원리라 한다.
그러므로 사인파와 직류 전압 1 V를 주어 졌을 때 오실로 스코프로 전압을 측정하여 보면 사인파가 1 V 만큼 레벨 시프트 되어있는 것을 확인 할 수 있다. 위의 회로도에서와 같이 시뮬레이션 값의 사인파가 1 V만큼 . 전압을 직렬로 연결했을 때 모든 전압의 크기를 합하면 하나의 전압을 갖게 된다. 이번 실험에서는 오실로스코프의 동작 방법 등을 새로 알게 되었고, 복잡한 회로를 하나씩 구한다음 그 값을 합하면 처음 회로와 동일하다는 것을 알게 되었다.

실험 5. 실험2에서 측정된 V 값과 실험3에서 측정된 R 값으로 그림1(b)의 회로를 구성하라. (R 값은 10kΩ 전위차계를 사용하여 맞추어라.) 이 회로에서 출력 전류 I와 출력 전압 V를 측정하라.
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