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[전자회로실험]5. 트랜지스터의 DC 특성

저작시기 2006.03 |등록일 2006.09.12 한글파일한글 (hwp) | 4페이지 | 가격 300원

소개글

전자회로실험
트랜지스터의 DC특성
예비보고서

목차

1. 실험 목적
2. 기초이론
3. 실험방법
4. 예비과제

본문내용

1. 실험 목적
․ Transistor의 바이어스에 익숙
․ 에미터-베이스 회로에서 순방향 및 역방향 바이어스가 에미터-베이스 전류에 미치는 영향을 측정
․ 를 측정
․ CE 구성에 대한 특성 곡선을 실험적으로 결정
․ β값을 결정

2. 기초이론
트랜지스터는 아래와 같이 에미터, 베이스, 콜렉터 3가지 구조를 갖는 반도체 소자로 PNP형과 NPN형이 있다. 트랜지스터의 동작 상태는 크게 3가지로 구분할 수 있는데, 먼저 활성 영역에서는 B-E 접합은 순방향, B-C 접합은 역방향 바이어스가 걸려 있으며, 차란(Cut-off) 영역에서는 이 두 접합 모두 역방향 바이어스가 걸려있다. 입력 신호를 증폭하여 BJT를 사용하기 위해서는 동작 상태가 활성 영역에 있도록 바이어스를 가해야 한다.
의 구조 및 기호

트랜지스터는 3단2k 소자이므로 4단자망 회로에 적용하기 위해서는 세 단자 중 어느 한 단자를 입력과 출력에 공통으로 하여야 하는데, 베이스 공통 구성, 에미터 공통 구성 콜렉터 공통 구성 3가지의 공통 구성 방법이 있다. 이 들 각각이 전기적 특성이 달라지기 때문에 적절하게 이용된다.
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