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[전자회로실험]7. 소신호 전압 증폭회로(CE BJT)

저작시기 2006.03 |등록일 2006.09.09 한글파일한글 (hwp) | 5페이지 | 가격 300원

소개글

전자회로실험
소신호 전압 증폭회로 (CE BJT)

목차

1. 실험 목적
2. 기초이론
3. 실험방법
4. 예비과제

본문내용

1. 실험 목적
․ 전압 분할 바이어스를 이용하여 트랜지스터를 CE 증폭기로 구성
․ CE 증폭기의 전압 이득을 측정
․ 에미터 바이패스 콘덴서가 증폭기 이득에 미치는 영향을 관찰

2. 기초이론
CE 회로에서 베이스 전류가 콜렉터 전류를 제어한다. 이때 전류 이득 β는
(VCE = 일정)
β가 얻어지는 바이어스 조건은 에미터-베이스 접합은 순방향 바이어스, 콜렉터-베이스 접합은 역방향 바이어스 되어야 한다. CE 증폭기가 교류 전류 및 전압을 증폭하는 데 관심을 두자.

그림 7-1 CE 증폭기 회로
그림은 에미터 접지 ac 증폭기로 구성된 npn 트랜지스터의 회로도이다. 저항 R1은 베이스-에미터 회로의 전류를 제한하며, VBB와 함께 베이스 바이어스 전류 또는 동작점을 결정한다. 저항 R1에 의해 베이스 바이어스 전류는 이다.
콜렉터 회로에서, 출력 신호 전압은 다음 식에 의해 Vout = IC×RL 이며, RL은 콜렉터 부하 저항이다. 증폭기에서 찌그러짐이 없는 증폭을 하려면 신호가 트랜지스터 특성의 선형 부분에서 동작하도록 베이스가 적절하게 바이어스 되어야 한다. 에미터 공통 증폭기는 더 높은 입력 임피던스, 낮은 출력 임피던스를 갖기 때문에 트랜지스터 증폭기 중 가장 많이 쓰인다.
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